2500V/2A快恢复二极管的优化设计
摘要 | 第3-4页 |
英文摘要 | 第4-5页 |
1 绪论 | 第8-12页 |
1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
1.2 快恢复二极管的研究现状 | 第9-11页 |
1.3 主要工作 | 第11-12页 |
2 静态特性的研究 | 第12-22页 |
2.1 设计指标 | 第12页 |
2.2 结构设计 | 第12-15页 |
2.3 结构参数对静态特性的影响 | 第15-19页 |
2.4 静态雪崩 | 第19-21页 |
2.4.1 雪崩击穿机理分析 | 第19页 |
2.4.2 静态雪崩特性分析 | 第19-21页 |
2.5 本章小结 | 第21-22页 |
3 反向恢复特性的研究 | 第22-34页 |
3.1 反向恢复原理 | 第22-23页 |
3.2 仿真电路及仿真结果 | 第23页 |
3.3 影响反向恢复特性的因素 | 第23-32页 |
3.3.1 P区发射效率对反向恢复特性的影响 | 第23-25页 |
3.3.2 缓冲层对反向恢复特性的影响 | 第25-26页 |
3.3.3 缓冲层对振荡的影响 | 第26-30页 |
3.3.4 载流子寿命对反向恢复特性的影响 | 第30-32页 |
3.4 本章小结 | 第32-34页 |
4 雪崩耐量的提高与结构优化 | 第34-52页 |
4.1 动态雪崩机理分析 | 第34-36页 |
4.2 P区发射效率 | 第36-44页 |
4.2.1 P区掺杂浓度对雪崩耐量的影响 | 第37-41页 |
4.2.2 P区结构的优化 | 第41-44页 |
4.3 缓冲层结构 | 第44-48页 |
4.3.1 缓冲层结构对雪崩耐量的影响 | 第44-46页 |
4.3.2 缓冲层结构的优化 | 第46-48页 |
4.4 自热效应对雪崩耐量的影响 | 第48-50页 |
4.5 终端设计及优化 | 第50-51页 |
4.6 本章小结 | 第51-52页 |
5 总结与展望 | 第52-54页 |
5.1 结论 | 第52页 |
5.2 展望 | 第52-54页 |
致谢 | 第54-56页 |
参考文献 | 第56-58页 |