摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-23页 |
1.1 研究课题的意义 | 第10-11页 |
1.2 陶瓷与金属扩散连接的研究现状 | 第11-15页 |
1.2.1 陶瓷与金属扩散连接存在的问题 | 第11-12页 |
1.2.2 陶瓷与金属扩散连接的影响因素 | 第12-14页 |
1.2.3 陶瓷与金属扩散连接界面反应的控制 | 第14-15页 |
1.3 电场在材料科学中的应用研究现状 | 第15-21页 |
1.3.1 电场在材料热处理过程中的应用 | 第15-17页 |
1.3.2 电场在扩散连接过程中的应用 | 第17-21页 |
1.4 主要研究内容 | 第21-23页 |
第2章 材料和试验方法 | 第23-30页 |
2.1 试验材料 | 第23-24页 |
2.2 试验设备 | 第24-25页 |
2.3 连接方法及连接工艺 | 第25-27页 |
2.3.1 SiC 陶瓷/金属扩散偶的准备 | 第25-26页 |
2.3.2 SiC 陶瓷/金属扩散偶的连接工艺 | 第26-27页 |
2.4 材料组织及性能分析方法 | 第27-30页 |
2.4.1 X 射线荧光光谱分析(XRF) | 第27页 |
2.4.2 金相显微观察和分析 | 第27页 |
2.4.3 显微硬度测试 | 第27-28页 |
2.4.4 扫描电镜观察和分析 | 第28页 |
2.4.5 XRD 分析 | 第28-29页 |
2.4.6 FIB 制样及 TEM 分析 | 第29页 |
2.4.7 剪切性能测试 | 第29-30页 |
第3章 SiC 与 Ti 扩散连接接头的显微组织与力学性能 | 第30-48页 |
3.1 引言 | 第30页 |
3.2 不同连接压力下接头的显微组织及力学性能 | 第30-33页 |
3.2.1 连接压力对接头显微组织的影响 | 第30-32页 |
3.2.2 连接压力对接头机械性能的影响 | 第32-33页 |
3.3 不同连接温度下接头的显微组织及性能 | 第33-38页 |
3.3.1 连接温度对接头显微组织的影响 | 第34-37页 |
3.3.2 连接温度对接头机械性能的影响 | 第37-38页 |
3.4 不同保温时间下接头的显微组织及性能 | 第38-43页 |
3.4.1 保温时间对接头显微组织的影响 | 第38-42页 |
3.4.2 保温时间对接头机械性能的影响 | 第42-43页 |
3.5 SiC 与 Ti 扩散连接接头界面的微观结构 | 第43-46页 |
3.6 本章小结 | 第46-48页 |
第4章 电场作用下 SiC 与 Ti 连接接头的界面结构及力学性能 | 第48-79页 |
4.1 引言 | 第48页 |
4.2 不同工艺条件下 SiC 与 Ti 接头的力学性能 | 第48-54页 |
4.2.1 工艺参数与界面电流的关系 | 第48-50页 |
4.2.2 工艺参数对接头质量的影响及其优化 | 第50-54页 |
4.3 电场作用下 SiC 与 Ti 扩散连接接头的显微组织与界面结构 | 第54-68页 |
4.3.1 正负极界面及其在不同工艺条件下的显微组织 | 第54-63页 |
4.3.2 负极界面反应层的微观结构 | 第63-68页 |
4.4 SiC 与 Ti 连接界面的 TEM 分析 | 第68-71页 |
4.5 电场作用下 SiC 与 Ti 扩散连接接头的断裂位置 | 第71-77页 |
4.6 本章小结 | 第77-79页 |
第5章 电场作用下 SiC 与 Ti 的扩散连接机理 | 第79-90页 |
5.1 引言 | 第79页 |
5.2 电场作用下 SiC 与 Ti 界面镜像吸附作用与结合 | 第79-81页 |
5.2.1 电场作用下 SiC 与 Ti 界面镜像吸附作用 | 第79-80页 |
5.2.2 电场作用下 SiC 与 Ti 的界面吸附力 | 第80-81页 |
5.3 SiC 与 Ti 界面反应热力学分析 | 第81-84页 |
5.3.1 SiC 与 Ti 界面反应热力学判据 | 第81-83页 |
5.3.2 SiC 与 Ti 界面反应扩散路径 | 第83-84页 |
5.4 SiC 与 Ti 界面扩散反应过程及机理 | 第84-86页 |
5.5 电场作用下 SiC 与 Ti 界面扩散动力学分析 | 第86-89页 |
5.5.1 电场作用下 SiC 与 Ti 界面的扩散模型 | 第86-87页 |
5.5.2 电场作用下 SiC 与 Ti 界面的扩散动力学 | 第87-89页 |
5.6 本章小结 | 第89-90页 |
结论 | 第90-91页 |
参考文献 | 第91-97页 |
致谢 | 第97页 |