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电场作用下SiC陶瓷与Ti扩散连接工艺及机理研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第10-23页
    1.1 研究课题的意义第10-11页
    1.2 陶瓷与金属扩散连接的研究现状第11-15页
        1.2.1 陶瓷与金属扩散连接存在的问题第11-12页
        1.2.2 陶瓷与金属扩散连接的影响因素第12-14页
        1.2.3 陶瓷与金属扩散连接界面反应的控制第14-15页
    1.3 电场在材料科学中的应用研究现状第15-21页
        1.3.1 电场在材料热处理过程中的应用第15-17页
        1.3.2 电场在扩散连接过程中的应用第17-21页
    1.4 主要研究内容第21-23页
第2章 材料和试验方法第23-30页
    2.1 试验材料第23-24页
    2.2 试验设备第24-25页
    2.3 连接方法及连接工艺第25-27页
        2.3.1 SiC 陶瓷/金属扩散偶的准备第25-26页
        2.3.2 SiC 陶瓷/金属扩散偶的连接工艺第26-27页
    2.4 材料组织及性能分析方法第27-30页
        2.4.1 X 射线荧光光谱分析(XRF)第27页
        2.4.2 金相显微观察和分析第27页
        2.4.3 显微硬度测试第27-28页
        2.4.4 扫描电镜观察和分析第28页
        2.4.5 XRD 分析第28-29页
        2.4.6 FIB 制样及 TEM 分析第29页
        2.4.7 剪切性能测试第29-30页
第3章 SiC 与 Ti 扩散连接接头的显微组织与力学性能第30-48页
    3.1 引言第30页
    3.2 不同连接压力下接头的显微组织及力学性能第30-33页
        3.2.1 连接压力对接头显微组织的影响第30-32页
        3.2.2 连接压力对接头机械性能的影响第32-33页
    3.3 不同连接温度下接头的显微组织及性能第33-38页
        3.3.1 连接温度对接头显微组织的影响第34-37页
        3.3.2 连接温度对接头机械性能的影响第37-38页
    3.4 不同保温时间下接头的显微组织及性能第38-43页
        3.4.1 保温时间对接头显微组织的影响第38-42页
        3.4.2 保温时间对接头机械性能的影响第42-43页
    3.5 SiC 与 Ti 扩散连接接头界面的微观结构第43-46页
    3.6 本章小结第46-48页
第4章 电场作用下 SiC 与 Ti 连接接头的界面结构及力学性能第48-79页
    4.1 引言第48页
    4.2 不同工艺条件下 SiC 与 Ti 接头的力学性能第48-54页
        4.2.1 工艺参数与界面电流的关系第48-50页
        4.2.2 工艺参数对接头质量的影响及其优化第50-54页
    4.3 电场作用下 SiC 与 Ti 扩散连接接头的显微组织与界面结构第54-68页
        4.3.1 正负极界面及其在不同工艺条件下的显微组织第54-63页
        4.3.2 负极界面反应层的微观结构第63-68页
    4.4 SiC 与 Ti 连接界面的 TEM 分析第68-71页
    4.5 电场作用下 SiC 与 Ti 扩散连接接头的断裂位置第71-77页
    4.6 本章小结第77-79页
第5章 电场作用下 SiC 与 Ti 的扩散连接机理第79-90页
    5.1 引言第79页
    5.2 电场作用下 SiC 与 Ti 界面镜像吸附作用与结合第79-81页
        5.2.1 电场作用下 SiC 与 Ti 界面镜像吸附作用第79-80页
        5.2.2 电场作用下 SiC 与 Ti 的界面吸附力第80-81页
    5.3 SiC 与 Ti 界面反应热力学分析第81-84页
        5.3.1 SiC 与 Ti 界面反应热力学判据第81-83页
        5.3.2 SiC 与 Ti 界面反应扩散路径第83-84页
    5.4 SiC 与 Ti 界面扩散反应过程及机理第84-86页
    5.5 电场作用下 SiC 与 Ti 界面扩散动力学分析第86-89页
        5.5.1 电场作用下 SiC 与 Ti 界面的扩散模型第86-87页
        5.5.2 电场作用下 SiC 与 Ti 界面的扩散动力学第87-89页
    5.6 本章小结第89-90页
结论第90-91页
参考文献第91-97页
致谢第97页

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