| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 核辐射探测器的简介 | 第9-12页 |
| 1.3 室温核辐射探测器半导体材料与研究现状 | 第12-15页 |
| 1.4 CsPbBr_3室温核辐射探测器的研究进展 | 第15-17页 |
| 1.5 选题意义及研究内容 | 第17-18页 |
| 2 CsPbBr_3晶体的生长 | 第18-36页 |
| 2.1 CsPbBr_3粉体的合成 | 第18-26页 |
| 2.2 熔融法生长晶体的原理 | 第26-30页 |
| 2.3 电控梯度法生长CsPbBr_3的介绍 | 第30-31页 |
| 2.4 晶体生长安瓿的设计及温场的测定及设置 | 第31-32页 |
| 2.5 晶体生长及晶片的制备 | 第32-34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-36页 |
| 3 CsPbBr_3晶片的处理及性能表征 | 第36-50页 |
| 3.1 CsPbBr_3晶片的切割及抛光工艺 | 第36-39页 |
| 3.2 晶片的X射线衍射表征 | 第39-40页 |
| 3.3 CsPbBr_3晶体的光学性能表征 | 第40-44页 |
| 3.4 晶片的电学性质 | 第44-46页 |
| 3.5 CsPbBr_3晶体的能谱响应 | 第46-48页 |
| 3.6 本章小结 | 第48-50页 |
| 4 退火对CsPbBr_3晶片性能的影响 | 第50-58页 |
| 4.1 退火的实验过程 | 第50-51页 |
| 4.2 退火对电学性能的影响 | 第51-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 5 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 全文总结 | 第58页 |
| 5.2 展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第68页 |