| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| ·概述 | 第12-13页 |
| ·氧化物压敏陶瓷电压非线性特性形成机理 | 第13-15页 |
| ·氧化物压敏陶瓷的研究现状 | 第15-24页 |
| ·氧化锌基压敏陶瓷的研究历史和现状简介 | 第15-18页 |
| ·SnO2 压敏陶瓷的研究现状 | 第18-19页 |
| ·CCTO 陶瓷材料的研究现状 | 第19-24页 |
| ·本论文主要研究内容及其学术意义 | 第24-25页 |
| 第二章 压敏陶瓷材料的电容效应与晶界势垒研究 | 第25-68页 |
| ·概述 | 第25-26页 |
| ·氧化锌压敏陶瓷的电容效应 | 第26-47页 |
| ·氧化物压敏材料的表观电容量 | 第26-28页 |
| ·电负荷历史对氧化物压敏材料电容量测试结果的影响 | 第28-47页 |
| ·直流负荷对氧化物压敏材料电容量测试结果的影响 | 第28-33页 |
| ·交流负荷对氧化物压敏材料电容量测试结果的影响 | 第33-35页 |
| ·脉冲负荷对氧化物压敏材料电容量测试结果的影响 | 第35-38页 |
| ·物理过程分析 | 第38-47页 |
| ·氧化物压敏陶瓷的晶界势垒测试 | 第47-67页 |
| ·C-V 特性法测试计算氧化物压敏陶瓷材料晶界势垒高度 | 第47-55页 |
| ·J-E-T 特性法测试计算氧化物压敏陶瓷材料晶界势垒高度 | 第55-61页 |
| ·测试激活能法估算氧化物压敏陶瓷材料晶界势垒高度 | 第61-65页 |
| ·关于氧化物压敏陶瓷材料晶界势垒高度的测试方法讨论 | 第65-67页 |
| ·本章结论 | 第67-68页 |
| 第三章 原料颗粒大小对 ZnO 压敏陶瓷晶界特性及电性能的影响 | 第68-92页 |
| ·引言 | 第68-70页 |
| ·实验方法 | 第70-75页 |
| ·纳米氧化锌粉体的制备 | 第70-72页 |
| ·氧化锌压敏电阻样品的制备 | 第72-73页 |
| ·性能测试与表征 | 第73-75页 |
| ·结果与讨论 | 第75-90页 |
| ·ZnO 粉体的微观形貌 | 第75页 |
| ·ZnO 压敏陶瓷的烧结致密化 | 第75-80页 |
| ·样品低电流区（0.1~100mA）的电流电压特性 | 第80-84页 |
| ·样品大电流（脉冲电流）特性 | 第84-87页 |
| ·晶界势垒参数和晶粒导电性研究 | 第87-90页 |
| ·本章结论 | 第90-92页 |
| 第四章 钛酸铜钙陶瓷的电压非线性特性研究 | 第92-120页 |
| ·引言 | 第92-95页 |
| ·样品制备与测试方法 | 第95-97页 |
| ·CCTO 样品制备 | 第95-97页 |
| ·样品测试方法 | 第97页 |
| ·结果分析与讨论 | 第97-118页 |
| ·样品晶相 | 第97-98页 |
| ·直流电压扫描测试 V-I 特性 | 第98-103页 |
| ·直流电流扫描测试 V-I 特性 | 第103-106页 |
| ·不同温度下测试 V-I 特性 | 第106-108页 |
| ·低电流下 CCTO 与 ZnO 压敏元件电阻温度特性 | 第108-110页 |
| ·低电压（电场）下 CCTO 与 ZnO 压敏元件电阻温度特性 | 第110-114页 |
| ·脉冲大电流测试与大电流范围 V-I 特性 | 第114-116页 |
| ·CCTO 与 ZnO 压敏元件 V-I 特性的综合分析 | 第116-118页 |
| ·本章结论 | 第118-120页 |
| 第五章 全文结论与展望 | 第120-122页 |
| ·全文结论 | 第120-121页 |
| ·展望 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-132页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第132-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
| 附录 | 第134页 |
