| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| ·太阳能电池的研究背景 | 第10-11页 |
| ·太阳能电池简介 | 第11-13页 |
| ·太阳能电池原理 | 第11页 |
| ·太阳能电池的种类 | 第11-13页 |
| ·CuInSe2薄膜电池的发展与现状 | 第13-14页 |
| ·铜铟硒(CIS)类太阳电池的结构 | 第14-16页 |
| ·铜铟硒(CuInSe_2)类薄膜的结构与性能 | 第16-21页 |
| ·CuInSe_2材料的结构特性 | 第16-18页 |
| ·CuInSe_2材料的光学性质 | 第18-19页 |
| ·CuInSe_2材料的电学性质 | 第19-20页 |
| ·掺杂对CuInSe_2材料的影响 | 第20-21页 |
| ·硒化条件对材料性能的影响 | 第21页 |
| ·CIS薄膜太阳电池的主要制备方法 | 第21-23页 |
| ·溅射法制备CIS薄膜 | 第21-22页 |
| ·真空蒸镀法制备CIS薄膜 | 第22页 |
| ·电沉积方法 | 第22-23页 |
| ·分子束外延技术 | 第23页 |
| ·喷涂热解法 | 第23页 |
| ·目前存在的问题 | 第23页 |
| ·论文选题 | 第23-25页 |
| 第二章 Cu(In_(1-x)Al_x)Se_2薄膜材料的制备及分析方法 | 第25-35页 |
| ·磁控溅射法制备CIAS薄膜 | 第25-31页 |
| ·磁控溅射法制备CIA预制层膜 | 第25-29页 |
| ·固态源硒化法制备CIAS薄膜 | 第29-31页 |
| ·检测设备 | 第31-35页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第31-32页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第32-33页 |
| ·能谱仪(INCA)分析 | 第33页 |
| ·四探针法测量电阻率 | 第33-34页 |
| ·薄膜厚度测试 | 第34页 |
| ·薄膜的可见光谱测试 | 第34-35页 |
| 第三章 磁控溅射再硒化法制备Cu(In_(1-x)Al_x)Se_2薄膜性能分析 | 第35-58页 |
| ·溅射功率与靶材沉积速率的关系 | 第35-38页 |
| 本节小结 | 第37-38页 |
| ·溅射工艺对CIA预制层薄膜成分的影响与分析 | 第38-41页 |
| ·溅射面积对CIA预制层薄膜的成分影响与分析 | 第38-39页 |
| ·溅射顺序对CIA预制层膜成分影响分析 | 第39-40页 |
| ·溅射时间对CIA预制层薄膜成分影响分析 | 第40页 |
| 本节小结 | 第40-41页 |
| ·热处理对CIA预制层薄膜的影响与分析 | 第41-44页 |
| ·热处理对CIA预制层膜成分的影响与分析 | 第41页 |
| ·热处理对CIA预制层膜表面形貌与结构的影响与分析 | 第41-43页 |
| 本节小结 | 第43-44页 |
| ·硒化工艺对CIAS薄膜性能影响与分析 | 第44-51页 |
| ·硒化工艺对薄膜成分的对比分析 | 第44-45页 |
| ·硒化工艺对薄膜表面形貌的影响与分析 | 第45-48页 |
| ·硒化工艺对薄膜结构的影响与分析 | 第48页 |
| ·CIAS薄膜的电性能分析 | 第48-49页 |
| ·CIAS薄膜光学性能分析 | 第49-50页 |
| 本节小结 | 第50-51页 |
| ·铝含量对CIAS薄膜的影响与分析 | 第51-58页 |
| ·铝含量对CIAS薄膜表面形貌的影响与分析 | 第51-52页 |
| ·铝含量对CIAS薄膜晶体结构的影响与分析 | 第52-54页 |
| ·铝含量对CIAS薄膜电阻率的影响与分析 | 第54页 |
| ·铝含量对CIAS薄膜透过率的影响与分析 | 第54-56页 |
| 本节小结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
