| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·微电子技术的发展 | 第9-10页 |
| ·过渡族金属硅化物在微电子器件中的应用及研究现状 | 第10-15页 |
| ·论文的研究目的和意义 | 第15-16页 |
| 第二章 实验方法 | 第16-30页 |
| ·扫描隧道显微镜 | 第16-20页 |
| ·扫描隧道显微镜的基本原理 | 第16-17页 |
| ·电子隧穿的基本原理 | 第17-19页 |
| ·扫描隧道谱 | 第19-20页 |
| ·超高真空扫描隧道显微镜分子束外延系统 | 第20-24页 |
| ·超高真空系统 | 第20-22页 |
| ·STM 扫描反馈及分析系统 | 第22-23页 |
| ·分子束外延系统 | 第23-24页 |
| ·扫描探针的制备 | 第24-25页 |
| ·Si(110)-16×2 重构表面与Si(100)-2×1 重构表面 | 第25-30页 |
| ·表面重构及其标记 | 第26页 |
| ·Si(110)-16×2 重构表面的结构及制备 | 第26-28页 |
| ·Si(100)-2×1 重构表面的结构及制备 | 第28-30页 |
| 第三章 锰的硅化物纳米线在 Si(110)-16×2 表面的外延生长 | 第30-51页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·实验方法 | 第31-32页 |
| ·实验结果及讨论 | 第32-50页 |
| ·生长参数对锰的硅化物纳米线生长的影响 | 第32-43页 |
| ·锰的硅化物纳米线在Si(110)表面的取向生长 | 第43-45页 |
| ·锰的硅化物纳米线的成分、结构及生长机制 | 第45-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 锰的硅化物纳米线在Si(100)-2×1 表面的外延生长 | 第51-65页 |
| ·引言 | 第51-52页 |
| ·实验方法 | 第52-53页 |
| ·实验结果及讨论 | 第53-63页 |
| ·生长参数对锰的硅化物纳米线生长的影响 | 第53-60页 |
| ·锰的硅化物纳米线在Si(100)表面的取向生长 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 全文总结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第76-78页 |
