| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-26页 |
| ·ZnO 材料的基本性质 | 第11页 |
| ·ZnO 纳米材料的研究现状 | 第11-18页 |
| ·ZnO 纳米结构的研究 | 第11-12页 |
| ·ZnO 基光学器件发光效率的研究 | 第12页 |
| ·光生伏打效应的应用 | 第12页 |
| ·ZnO 稀磁半导体 | 第12-13页 |
| ·ZnO 基变阻器 | 第13页 |
| ·薄膜体声波谐振器（FBAR） | 第13-14页 |
| ·ZnO 透明场效应管 | 第14页 |
| ·ZnO 透明导电氧化物 | 第14-15页 |
| ·氟掺杂ZnO 薄膜的研究 | 第15页 |
| ·镓掺杂ZnO 薄膜的研究 | 第15页 |
| ·ZnO 避雷器的研究 | 第15页 |
| ·氮掺杂ZnO 薄膜的研究 | 第15-16页 |
| ·Ag 掺杂ZnO 薄膜的研究 | 第16页 |
| ·氧化钒掺杂ZnO 的研究 | 第16页 |
| ·一维金属氧化物纳米结构的研究 | 第16-17页 |
| ·ZnO 薄膜外延质量的研究 | 第17页 |
| ·ZnO 气体传感器的特性 | 第17页 |
| ·ZnO 紫外探测器 | 第17-18页 |
| ·ZnO 的光催化活性 | 第18页 |
| ·ZnO 半导体材料的应用 | 第18-21页 |
| ·声表面波滤波器 | 第18-19页 |
| ·作为半导体激光器(Laser Diode，LD)的有源层 | 第19页 |
| ·光生伏打效应 | 第19-20页 |
| ·薄膜晶体管（Thin Film Transistor） | 第20页 |
| ·气敏传感器 | 第20-21页 |
| ·压敏电阻器 | 第21页 |
| ·本文选题依据和组织结构 | 第21-24页 |
| ·在Si 基片上生长有缓冲层的ZnO 薄膜的研究意义 | 第21-22页 |
| ·Si 基片上生长有缓冲层的ZnO 薄膜的研究现状 | 第22-23页 |
| ·本论文的组织结构 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 第2章 ZnO 薄膜的制备和表征 | 第26-31页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第26-27页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD） | 第26页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第26页 |
| ·射频溅射法 | 第26页 |
| ·化学溶液沉积（CBD） | 第26-27页 |
| ·原子层沉积（ALD） | 第27页 |
| ·金属有机化学气相沉积法（MOCVD） | 第27页 |
| ·喷雾热分解法（spray pyrolysis） | 第27页 |
| ·脉冲直流磁控溅射 | 第27页 |
| ·离子注入法（Ion implantation） | 第27页 |
| ·电子束蒸发法 | 第27页 |
| ·硅基片上ZnO 薄膜样品的制备条件 | 第27-28页 |
| ·玻璃基片上ZnO 薄膜样品的制备条件 | 第28-29页 |
| ·ZnO 薄膜的表征 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第3章 Si 基片上有不同缓冲层的ZnO 薄膜的研究 | 第31-41页 |
| ·低温ZnO 缓冲层 | 第31-34页 |
| ·Al 缓冲层 | 第34-36页 |
| ·A1_2O_3 缓冲层 | 第36-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第4章 玻璃基片上有缓冲层的ZnO 薄膜的研究 | 第41-48页 |
| ·玻璃基片上的ZnO 薄膜的微结构特性 | 第41-44页 |
| ·玻璃基片上的ZnO 薄膜的光学特性 | 第44-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第5章 总结 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 在读期间发表论文 | 第50页 |
