| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-19页 |
| 1.1 半导体光催化技术 | 第10-12页 |
| 1.1.1 半导体光催化降解反应机理 | 第10-12页 |
| 1.1.2 真空紫外光催化技术 | 第12页 |
| 1.2 具有{001}晶面暴露的二氧化钛光催化剂的结构与合成 | 第12-14页 |
| 1.2.1{001}晶面主导且具有较高暴露率的二氧化钛的制备 | 第12-13页 |
| 1.2.2 具有{001}晶面暴露的二氧化钛水热合成的形貌控制 | 第13页 |
| 1.2.3 具有{001}晶面暴露的二氧化钛薄膜的合成 | 第13-14页 |
| 1.3 二氧化钛光催化剂的表面修饰 | 第14-16页 |
| 1.3.1 强化半导体光催化剂光生电子-空穴分离的方法 | 第14页 |
| 1.3.2 贵金属纳米颗粒修饰二氧化钛的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.4 环境中存在苯扎贝特的危害及降解研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4.1 苯扎贝特对环境的影响及危害 | 第16页 |
| 1.4.2 苯扎贝特的降解方法 | 第16-17页 |
| 1.5 研究目的、意义及内容 | 第17-19页 |
| 1.5.1 研究目的 | 第17页 |
| 1.5.2 研究意义 | 第17页 |
| 1.5.3 研究的主要内容及实验工作量 | 第17-19页 |
| 第二章 实验方法 | 第19-24页 |
| 2.1 主要原料和试剂 | 第19页 |
| 2.2 催化剂制备 | 第19-20页 |
| 2.2.1 水热法合成具有{001}晶面暴露的二氧化钛薄膜 | 第19-20页 |
| 2.2.2 静电自组装法制备贵金属沉积的{001}晶面暴露二氧化钛薄膜 | 第20页 |
| 2.3 催化剂表征 | 第20-21页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析（XRD） | 第20页 |
| 2.3.2 拉曼光谱(Raman) | 第20页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱（XPS） | 第20-21页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜（SEM） | 第21页 |
| 2.3.5 透射电子显微镜（TEM） | 第21页 |
| 2.4 光催化降解反应 | 第21-24页 |
| 2.4.1 反应装置 | 第21-22页 |
| 2.4.2 光催化实验步骤 | 第22-23页 |
| 2.4.3 光催化降解苯扎贝特效果分析 | 第23-24页 |
| 第三章 {001}晶面暴露二氧化钛薄膜的制备及形貌控制 | 第24-28页 |
| 3.1 添加不同醇对水热反应合成{001}晶面暴露的二氧化钛的影响 | 第24-25页 |
| 3.2 氢氟酸浓度对水热反应合成{001}晶面暴露的二氧化钛的影响 | 第25-26页 |
| 3.3 本章小结 | 第26-28页 |
| 第四章 贵金属负载{001}晶面暴露的二氧化钛薄膜的制备与表征 | 第28-39页 |
| 4.1 静电自组装法制备载钯{001}晶面暴露的二氧化钛薄膜 | 第28-30页 |
| 4.1.1 载钯{001}晶面暴露的二氧化钛薄膜的形貌 | 第28-29页 |
| 4.1.2 载钯{001}晶面暴露的二氧化钛薄膜VUV下降解苯扎贝特光催化活性 | 第29-30页 |
| 4.2 静电自组装法沉积铂于{001}晶面暴露的二氧化钛薄膜表面的条件控制 | 第30-34页 |
| 4.2.1 溶胶pH值对铂负载的影响 | 第30-31页 |
| 4.2.2 溶胶温度对铂负载的影响 | 第31-32页 |
| 4.2.3 催化剂浸渍时间对铂沉积的影响 | 第32-34页 |
| 4.3 催化剂的表征结果 | 第34-37页 |
| 4.3.1 载铂二氧化钛催化剂的晶相 | 第34-35页 |
| 4.3.2 载铂二氧化钛催化剂的形貌 | 第35-36页 |
| 4.3.3 载铂二氧化钛催化剂表面各元素的化学态 | 第36-37页 |
| 4.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第五章 载铂{001}晶面暴露二氧化钛薄膜对苯扎贝特的光催化降解 | 第39-47页 |
| 5.1 载铂{001}晶面暴露的二氧化钛薄膜VUV下降解苯扎贝特效果及动力学分析 | 第39-40页 |
| 5.2 影响光催化降解苯扎贝特因素研究 | 第40-44页 |
| 5.2.1 碱洗载铂{001}晶面暴露的二氧化钛薄膜对其光催化活性的影响 | 第40-41页 |
| 5.2.2 不同光源对光催化降解纯水中苯扎贝特的影响 | 第41-42页 |
| 5.2.3 不同初始浓度苯扎贝特的光催化降解 | 第42-44页 |
| 5.3 催化剂降解苯扎贝特过程中总有机碳分析 | 第44页 |
| 5.4 载铂{001}晶面暴露的二氧化钛薄膜制备的可重复性及催化剂的稳定性研究 | 第44-46页 |
| 5.4.1 载铂{001}晶面暴露的二氧化钛薄膜制备的可重复性研究 | 第44-45页 |
| 5.4.2 载铂{001}晶面暴露的二氧化钛薄膜的稳定性研究 | 第45-46页 |
| 5.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第六章 结论与建议 | 第47-49页 |
| 6.1 结论 | 第47-48页 |
| 6.2 建议 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 附录 | 第55页 |
