| 中文摘要 | 第6-10页 |
| ABSTRACT | 第10-14页 |
| 本论文的主要创新点 | 第15-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-42页 |
| 1.1 大共轭碳体系 | 第17-19页 |
| 1.2 大共轭碳体系在电子器件中的应用 | 第19-21页 |
| 1.3 基于大共轭碳体系分子器件实验研究进展 | 第21-23页 |
| 1.4 基于大共轭碳体系分子器件的理论研究进展 | 第23-31页 |
| 1.4.1 有机功能分子的电子输运性质 | 第24-26页 |
| 1.4.2 大共轭碳体系的电子输运性质 | 第26-29页 |
| 1.4.3 大共轭碳体系分子器件的电子输运性质 | 第29-31页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容和意义 | 第31-34页 |
| 参考文献 | 第34-42页 |
| 第二章 电子输运理论及计算方法 | 第42-53页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第42-46页 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第42-44页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第44-45页 |
| 2.1.3 交换关联泛函 | 第45-46页 |
| 2.2 Landauer-Buttiker理论 | 第46-49页 |
| 2.3 在ATK软件中大共轭碳体系电子输运的计算方法 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第三章 大共轭碳体系的电子传递路径 | 第53-83页 |
| 3.1 π-π重叠的平行聚苯体系的电子输运性质 | 第53-68页 |
| 3.1.1 结构模型和方法 | 第54-55页 |
| 3.1.2 π-电子重叠单元个数对电子输运的影响 | 第55-63页 |
| 3.1.3 平行间距对电子输运的影响 | 第63-66页 |
| 3.1.4 等效电路 | 第66-67页 |
| 3.1.5 小结 | 第67-68页 |
| 3.2 石墨烯纳米带二维平面内的电子输运性质 | 第68-79页 |
| 3.2.1 结构模型和计算方法 | 第69-70页 |
| 3.2.2 宽度对并苯分子电子输运的影响 | 第70-73页 |
| 3.2.3 长度对并苯分子电子输运的影响 | 第73-78页 |
| 3.2.4 小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 第四章 大共轭碳基光分子开关器件的电子输运性质 | 第83-120页 |
| 4.1 构型转变方式对光分子开关输运性能的影响 | 第83-104页 |
| 4.1.1 计算模型与方法 | 第85-88页 |
| 4.1.2 螺吡喃与螺恶嗪—份菁类的开闭环结构转变 | 第88-92页 |
| 4.1.3 水杨醛席夫碱与菲醌—分子内迁移 | 第92-96页 |
| 4.1.4 偶氮苯与二苯骈氦—N=N双键的E/Z异构化 | 第96-99页 |
| 4.1.5 俘精酰亚胺和二芳基乙烯—己三烯环封闭反应 | 第99-103页 |
| 4.1.6 小结 | 第103-104页 |
| 4.2 电极材料对全氟环戊二芳基乙烯光分子开关性能的影响 | 第104-115页 |
| 4.2.1 结构模型和计算方法 | 第105-107页 |
| 4.2.2 电子输运性质 | 第107-109页 |
| 4.2.3 透射谱和投影态密度谱(PDOS) | 第109-111页 |
| 4.2.4 局域态密度(LDOS) | 第111-112页 |
| 4.2.5 电子传输通道 | 第112-114页 |
| 4.2.6 小结 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-120页 |
| 第五章 碳纳米管/卟啉铁(Ⅱ) CO传感器的电子输运性质 | 第120-141页 |
| 5.1 结构模型和计算方法 | 第122-125页 |
| 5.2 PP-Fe的连接方式对CO检测灵敏度的影响 | 第125-131页 |
| 5.2.1 电子输运性质 | 第125-127页 |
| 5.2.2 透射谱和投影态密度谱(PDOS) | 第127-128页 |
| 5.2.3 局域态密度(LDOS) | 第128-130页 |
| 5.2.4 电子传输通道 | 第130-131页 |
| 5.2.5 小结 | 第131页 |
| 5.3 SWCNTs电极的手性对CO检测灵敏度的影响 | 第131-138页 |
| 5.3.1 电子输运性质 | 第131-133页 |
| 5.3.2 透射谱和PDOS谱 | 第133-134页 |
| 5.3.3 局域态密度分布 | 第134-135页 |
| 5.3.4 电子传输通道 | 第135-137页 |
| 5.3.5 小结 | 第137-138页 |
| 参考文献 | 第138-141页 |
| 第六章 氧化程度和Ni(OH)_2吸附对石墨烯电子输运性质的影响及其应用 | 第141-157页 |
| 6.1 结构模型和计算方法 | 第143-146页 |
| 6.2 电子输运性质 | 第146-147页 |
| 6.3 透射谱和PDOS谱 | 第147-149页 |
| 6.4 局域态密度分布(LDOS) | 第149-150页 |
| 6.5 电子传输通道 | 第150-151页 |
| 6.6 小结 | 第151-153页 |
| 参考文献 | 第153-157页 |
| 第七章 总结和展望 | 第157-159页 |
| 附录 | 第159-161页 |
| 致谢 | 第161-162页 |
