| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 TMDs的结构特点 | 第12-13页 |
| 1.3 TMDs的电子性质 | 第13-14页 |
| 1.4 TMDs的应用 | 第14-16页 |
| 1.4.1 在传感器方面的应用 | 第14-15页 |
| 1.4.2 在光电子器件方面的应用 | 第15-16页 |
| 1.5 TMDs电子结构的调控 | 第16-21页 |
| 1.5.1 应变调控 | 第16-17页 |
| 1.5.2 吸附与掺杂调控 | 第17-18页 |
| 1.5.3 电场调控 | 第18页 |
| 1.5.4 异质结调控 | 第18-21页 |
| 1.6 选题思路及研究内容 | 第21-25页 |
| 1.6.1 选题思路 | 第21-22页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第22-25页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第25-35页 |
| 2.1 绝热近似 | 第25-26页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第26-30页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第26-27页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第27-28页 |
| 2.2.3 局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA) | 第28-30页 |
| 2.3 布洛赫定理和平面波基矢 | 第30-31页 |
| 2.3.1 布洛赫定理 | 第30-31页 |
| 2.3.2 平面波基矢 | 第31页 |
| 2.4 赝势 | 第31-32页 |
| 2.5 VASP程序包 | 第32-35页 |
| 第三章 电场对二维TMDs电子结构的调控 | 第35-53页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 电场对多层WSe2电子结构的调控 | 第36-43页 |
| 3.2.1 模型和计算方法 | 第36-37页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第37-42页 |
| 3.2.3 小结 | 第42-43页 |
| 3.3 电场对不同堆垛构型下双层WS2电子结构的调控 | 第43-51页 |
| 3.3.1 模型和计算方法 | 第43-44页 |
| 3.3.2 结果与讨论 | 第44-50页 |
| 3.3.3 小结 | 第50-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 电场对基于二维TMDs的异质结电子结构的调控 | 第53-73页 |
| 4.1 引言 | 第53-54页 |
| 4.2 电场对MoS2/WS2异质结电子结构的调控 | 第54-63页 |
| 4.2.1 模型和计算方法 | 第54-55页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第55-62页 |
| 4.2.3 小结 | 第62-63页 |
| 4.3 电场对MoS2/arsenene异质结电子结构的调控 | 第63-71页 |
| 4.3.1 模型和计算方法 | 第63页 |
| 4.3.2 结果与讨论 | 第63-71页 |
| 4.3.3 小结 | 第71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 电场对基于二维TMDs的异质结肖特基势垒的调控 | 第73-83页 |
| 5.1 引言 | 第73页 |
| 5.2 电场对graphene/WS2异质结肖特基势垒的调控 | 第73-80页 |
| 5.2.1 模型和计算方法 | 第73-74页 |
| 5.2.2 结果与讨论 | 第74-80页 |
| 5.3 本章小结 | 第80-83页 |
| 第六章 总结和展望 | 第83-85页 |
| 6.1 主要结论 | 第83-84页 |
| 6.2 展望 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-97页 |
| 致谢 | 第97-99页 |
| 攻读博士学位期间的主要工作 | 第99-101页 |
| 参加的学术会议及学术交流 | 第101-102页 |
