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二维过渡金属硫化物及其异质结电子结构调控的第一性原理研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第一章 绪论第11-25页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 TMDs的结构特点第12-13页
    1.3 TMDs的电子性质第13-14页
    1.4 TMDs的应用第14-16页
        1.4.1 在传感器方面的应用第14-15页
        1.4.2 在光电子器件方面的应用第15-16页
    1.5 TMDs电子结构的调控第16-21页
        1.5.1 应变调控第16-17页
        1.5.2 吸附与掺杂调控第17-18页
        1.5.3 电场调控第18页
        1.5.4 异质结调控第18-21页
    1.6 选题思路及研究内容第21-25页
        1.6.1 选题思路第21-22页
        1.6.2 研究内容第22-25页
第二章 理论基础和计算方法第25-35页
    2.1 绝热近似第25-26页
    2.2 密度泛函理论第26-30页
        2.2.1 Hohenberg-Kohn定理第26-27页
        2.2.2 Kohn-Sham方程第27-28页
        2.2.3 局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA)第28-30页
    2.3 布洛赫定理和平面波基矢第30-31页
        2.3.1 布洛赫定理第30-31页
        2.3.2 平面波基矢第31页
    2.4 赝势第31-32页
    2.5 VASP程序包第32-35页
第三章 电场对二维TMDs电子结构的调控第35-53页
    3.1 引言第35-36页
    3.2 电场对多层WSe2电子结构的调控第36-43页
        3.2.1 模型和计算方法第36-37页
        3.2.2 结果与讨论第37-42页
        3.2.3 小结第42-43页
    3.3 电场对不同堆垛构型下双层WS2电子结构的调控第43-51页
        3.3.1 模型和计算方法第43-44页
        3.3.2 结果与讨论第44-50页
        3.3.3 小结第50-51页
    3.4 本章小结第51-53页
第四章 电场对基于二维TMDs的异质结电子结构的调控第53-73页
    4.1 引言第53-54页
    4.2 电场对MoS2/WS2异质结电子结构的调控第54-63页
        4.2.1 模型和计算方法第54-55页
        4.2.2 结果与讨论第55-62页
        4.2.3 小结第62-63页
    4.3 电场对MoS2/arsenene异质结电子结构的调控第63-71页
        4.3.1 模型和计算方法第63页
        4.3.2 结果与讨论第63-71页
        4.3.3 小结第71页
    4.4 本章小结第71-73页
第五章 电场对基于二维TMDs的异质结肖特基势垒的调控第73-83页
    5.1 引言第73页
    5.2 电场对graphene/WS2异质结肖特基势垒的调控第73-80页
        5.2.1 模型和计算方法第73-74页
        5.2.2 结果与讨论第74-80页
    5.3 本章小结第80-83页
第六章 总结和展望第83-85页
    6.1 主要结论第83-84页
    6.2 展望第84-85页
参考文献第85-97页
致谢第97-99页
攻读博士学位期间的主要工作第99-101页
参加的学术会议及学术交流第101-102页

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