| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| 1.1 第三代红外材料概述 | 第12-14页 |
| 1.2 Si(211)衬底材料的发展及研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 InAs材料的发展及研究现状 | 第16-20页 |
| 1.4 Si和InAs表面性质 | 第20-26页 |
| 1.4.1 Si(211)表面性质 | 第21-24页 |
| 1.4.2 InAs薄膜表面的性质 | 第24-26页 |
| 1.5 薄膜与衬底取向不一致 | 第26-29页 |
| 1.6 本论文的工作及意义 | 第29-31页 |
| 第二章 实验和测试方法 | 第31-47页 |
| 2.1 实验过程 | 第31-39页 |
| 2.1.1 实验材料及仪器 | 第31-32页 |
| 2.1.2 热壁外延技术简介 | 第32-35页 |
| 2.1.3 InAs/Si(211)薄膜制备工艺 | 第35-38页 |
| 2.1.4 InAs/Si(211)薄膜退火工艺 | 第38-39页 |
| 2.2 测试方法 | 第39-45页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第39-40页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第40-42页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第42-43页 |
| 2.2.4 霍尔测试 | 第43-44页 |
| 2.2.5 傅氏转换红外光谱(FT-IR) | 第44-45页 |
| 2.3 本章小结 | 第45-47页 |
| 第三章 InAs/Si(211)薄膜材料制备工艺的初步研究 | 第47-55页 |
| 3.1 InAs薄膜XRD分析 | 第47-49页 |
| 3.2 InAs薄膜的形貌分析 | 第49-52页 |
| 3.3 InAs薄膜的FT-IR分析 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 不同生长条件对InAs/Si(211)薄膜材料的影响 | 第55-71页 |
| 4.1 去氢温度对薄膜生长的影响 | 第55-58页 |
| 4.1.1 薄膜的XRD分析 | 第55-57页 |
| 4.1.2 薄膜的表形貌分析 | 第57-58页 |
| 4.2 源蒸发温度对薄膜生长的影响 | 第58-62页 |
| 4.2.1 薄膜的XRD分析 | 第58-60页 |
| 4.2.2 薄膜的表形貌分析 | 第60-62页 |
| 4.3 衬底温度对薄膜质量的影响 | 第62-70页 |
| 4.3.1 薄膜的XRD分析 | 第63-64页 |
| 4.3.2 薄膜的表形貌分析 | 第64-67页 |
| 4.3.3 薄膜的FT-IR分析 | 第67-68页 |
| 4.3.4 薄膜的电学性能分析 | 第68-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 InAs/Si(211)薄膜材料的退火工艺研究 | 第71-76页 |
| 5.1 InAs/Si(211)薄膜退火的XRD分析 | 第71-72页 |
| 5.2 InAs/Si(211)薄膜退火的表形貌分析 | 第72-74页 |
| 5.3 InAs/Si(211)薄膜退火的FT-IR分析 | 第74-75页 |
| 5.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 第六章 结论与展望 | 第76-78页 |
| 6.1 结论 | 第76页 |
| 6.2 创新点 | 第76-77页 |
| 6.3 展望 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-86页 |
| 附录A：攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第86-87页 |
| 附录B：攻读硕士学位期间参与项目 | 第87-88页 |
| 附录C：攻读硕士学位期间所获奖励 | 第88页 |
