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高性能硅基RFICs中片上螺旋电感的设计、建模及参数提取分析

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 引言第9-18页
    1.1 研究背景第9页
    1.2 国内外研究现状分析第9-16页
    1.3 论文的主要内容安排第16-18页
第2章 RF CMOS片上螺旋电感第18-29页
    2.1 电感在电路中的应用第18-19页
    2.2 电感的基础知识第19-24页
        2.2.1 电感的定义第19页
        2.2.2 自谐振频率第19页
        2.2.3 品质因数第19-20页
        2.2.4 有效串联电感第20-22页
        2.2.5 有效串联电阻第22-24页
    2.3 片上螺旋电感第24-25页
    2.4 片上螺旋电感的损耗机制第25-28页
        2.4.1 金属导体损耗第25-27页
        2.4.2 衬底损耗第27-28页
        2.4.3 辐射损耗第28页
        2.4.4 自热效应第28页
    2.5 本章小结第28-29页
第3章 片上螺旋电感的性能仿真分析与设计方法第29-41页
    3.1 仿真及绘图软件简介第29页
    3.2 结构参数对 3D电感性能影响的仿真分析第29-37页
        3.2.1 线圈匝数N对电感性能的影响第31-32页
        3.2.2 电感线圈间距S对电感性能的影响第32-33页
        3.2.3 电感线圈宽度W对电感性能的影响第33-35页
        3.2.4 线圈内半径R_(in)对电感性能的影响第35-36页
        3.2.5 线圈厚度t对电感性能的影响第36-37页
    3.3 工艺设计参数对 3D电感性能影响的仿真分析第37-39页
        3.3.1 衬底电阻率对电感性能的影响第37-38页
        3.3.2 氧化层厚度对电感性能的影响第38-39页
    3.4 片上螺旋电感的设计方法第39-40页
    3.5 本章小结第40-41页
第4章 新型单 π 模型的提出、参数提取及性能仿真验证第41-57页
    4.1 改进型电感单 π 模型第41-48页
        4.1.1 改进型单 π 模型的提出第41-42页
        4.1.2 片上螺旋电感的三维建模第42-43页
        4.1.3 模型元件参数的提取第43-45页
        4.1.4 改进型单 π 模型的性能仿真验证第45-48页
    4.2 增强型电感单 π 模型第48-54页
        4.2.1 增强型单 π 模型的提出第48页
        4.2.2 增强型单 π 模型参数的提取第48-50页
        4.2.3 增强型单 π 模型性能仿真及验证第50-54页
    4.3 改进型、增强型单 π 模型的性能仿真对比第54-56页
    4.4 本章小结第56-57页
第5章 总结与展望第57-60页
    5.1 总结第57-58页
    5.2 展望第58-60页
参考文献第60-64页
致谢第64-65页
在校期间发表学术论文与研究成果第65页

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