| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 纳米半导体材料 | 第10-18页 |
| 1.2.1 半导体材料 | 第10-11页 |
| 1.2.2 纳米材料 | 第11-12页 |
| 1.2.3 纳米半导体材料的特性 | 第12-14页 |
| 1.2.4 纳米半导体材料的制备方法 | 第14-16页 |
| 1.2.5 纳米半导体材料的应用 | 第16-18页 |
| 1.3 Cu_2O半导体材料 | 第18-19页 |
| 1.3.1 Cu_2O概述 | 第18页 |
| 1.3.2 Cu_2O的制备 | 第18-19页 |
| 1.4 CdS半导体材料 | 第19-20页 |
| 1.4.1 CdS概述 | 第19页 |
| 1.4.2 CdS的制备 | 第19-20页 |
| 1.5 Cu_2O/CdS半导体概述 | 第20-21页 |
| 1.6 光催化反应 | 第21-23页 |
| 1.6.1 光催化降解 | 第21-23页 |
| 1.6.2 光催化制氢 | 第23页 |
| 1.7 本课题研究内容及意义 | 第23-25页 |
| 第二章 实验方法 | 第25-35页 |
| 2.1 AAO模板电极的制备 | 第25-28页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第25页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第25-26页 |
| 2.1.3 AAO模板工艺流程 | 第26-28页 |
| 2.2 pn型Cu_2O/CdS和多层pn型Cu_2O/CdS纳米线的制备 | 第28-30页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第28页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第28-29页 |
| 2.2.3 实验装置图 | 第29页 |
| 2.2.4 pn型Cu_2O/CdS和多层pn型Cu_2O/CdS纳米线的制备 | 第29-30页 |
| 2.3 材料表征与性能测试 | 第30-35页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第30页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜分析（TEM） | 第30页 |
| 2.3.3 X射线衍射表征（XRD） | 第30-31页 |
| 2.3.4 紫外-可见吸收光谱（UV-vis） | 第31页 |
| 2.3.5 光电响应性能测试 | 第31-32页 |
| 2.3.6 Mott-Schottky测试 | 第32页 |
| 2.3.7 pn结电流电压特性（Ⅰ-Ⅴ）测试 | 第32页 |
| 2.3.8 光催化降解性能测试 | 第32-35页 |
| 第三章 pn型Cu_2O/CdS纳米线的制备及性能研究 | 第35-51页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 AAO模板SEM分析 | 第35-36页 |
| 3.3 pn型Cu_2O/CdS纳米线的制备 | 第36-40页 |
| 3.3.1 Cu_2O纳米线沉积电位的确定 | 第36-37页 |
| 3.3.2 Cu_2O纳米线沉积机理 | 第37-38页 |
| 3.3.3 CdS纳米线沉积电位的确定 | 第38-39页 |
| 3.3.4 CdS纳米线的沉积机理 | 第39-40页 |
| 3.4 pn型Cu_2O/CdS纳米线的表征 | 第40-44页 |
| 3.4.1 Cu_2O和CdS纳米线SEM表征 | 第40-41页 |
| 3.4.2 pn型Cu_2O/CdS纳米线SEM表征 | 第41-42页 |
| 3.4.3 pn型Cu_2O/CdS纳米线TEM表征 | 第42页 |
| 3.4.4 pn型Cu_2O/CdS纳米线EDS表征 | 第42-43页 |
| 3.4.5 pn型Cu_2O/CdS纳米线XRD表征 | 第43-44页 |
| 3.5 Mott-Schottky测试 | 第44-45页 |
| 3.6 pn结电流电压特性 | 第45-47页 |
| 3.7 光电性能测试 | 第47-49页 |
| 3.7.1 电流测试 | 第47-48页 |
| 3.7.2 光照开路电位 | 第48-49页 |
| 3.8 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 多层pn型Cu_2O/CdS纳米线的制备及性能研究 | 第51-60页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 多层pn型Cu_2O/CdS纳米线的表征 | 第51-52页 |
| 4.2.1 多层pn型Cu_2O/CdS纳米线SEM表征 | 第51-52页 |
| 4.2.2 多层pn型Cu_2O/CdS纳米线TEM表征 | 第52页 |
| 4.3 多层pn型Cu_2O/CdS纳米线的紫外-可见吸收光谱 | 第52-54页 |
| 4.4 多层pn型Cu_2O/CdS纳米线的性能测试 | 第54-58页 |
| 4.4.1 多层pn型Cu_2O/CdS纳米线的电流测试 | 第54页 |
| 4.4.2 多层pn型Cu_2O/CdS纳米线的光照开路电位测试 | 第54-55页 |
| 4.4.3 光催化降解性能测试 | 第55-57页 |
| 4.4.4 光降解反应动力学研究 | 第57-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
