| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 1 引言 | 第12-30页 |
| ·红外探测器的发展及其航天遥感应用 | 第12-16页 |
| ·红外探测器的发展 | 第12-14页 |
| ·红外探测器的航天遥感应用 | 第14-16页 |
| ·航天遥感用半导体器件的辐照效应 | 第16-26页 |
| ·空间辐照环境 | 第16-18页 |
| ·半导体器件的辐照效应 | 第18-26页 |
| ·航天应用短波红外InGaAs探测器发展 | 第26-29页 |
| ·本论文的研究目的和主要内容 | 第29-30页 |
| 2 理论基础 | 第30-40页 |
| ·光电器件的辐照效应理论 | 第30-33页 |
| ·辐照对半导体的基本损伤机制 | 第30-32页 |
| ·辐照效应对光电器件特性的影响 | 第32-33页 |
| ·光电探测器的低频噪声理论 | 第33-37页 |
| ·μPCD提取材料少子寿命理论基础 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 3 短波红外InGaAs探测器器件物理研究 | 第40-64页 |
| ·引言 | 第40-43页 |
| ·μPCD提取晶格匹配InGaAs材料的少子寿命 | 第43-52页 |
| ·实验 | 第43-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-52页 |
| ·延伸波长In_(0.83)Ga_(0.17)As探测器的低频噪声研究 | 第52-61页 |
| ·实验 | 第52-54页 |
| ·两种不同钝化方式探测器的 1/f噪声特性比较 | 第54-58页 |
| ·利用器件g-r噪声特性提取缺陷能级 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-64页 |
| 4 短波红外InGaAs探测器的γ辐照效应 | 第64-82页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·实验 | 第64-66页 |
| ·晶格匹配InGaAs器件的γ辐照效应 | 第66-78页 |
| ·非原位测试 | 第66-75页 |
| ·原位测试 | 第75-78页 |
| ·延伸波长InGaAs器件的γ辐照效应 | 第78-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 5 延伸波长InGaAs探测器的质子辐照效应 | 第82-94页 |
| ·引言 | 第82页 |
| ·实验 | 第82-83页 |
| ·结果与讨论 | 第83-91页 |
| ·辐照对器件暗电流的影响 | 第83-85页 |
| ·辐照对器件低频噪声的影响 | 第85-88页 |
| ·辐照对材料PL谱的影响 | 第88-90页 |
| ·辐照对器件探测率和量子效率的影响 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-94页 |
| 6 全文总结与展望 | 第94-98页 |
| ·全文总结 | 第94-96页 |
| ·展望 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-106页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第106页 |