| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 1 绪论 | 第11-33页 |
| ·薄膜晶体管的发展 | 第11-15页 |
| ·p型氧化物TFTs的研究进展 | 第15-25页 |
| ·p型Cu2O TFTs的研究进展 | 第16-17页 |
| ·p型SnO TFTs的研究进展 | 第17-25页 |
| ·双极性SnO TFTs的研究进展 | 第25-28页 |
| ·TFTs结构和操作模式 | 第28-32页 |
| ·本论文的研究意义 | 第32-33页 |
| 2 SnO薄膜及其TFTs的制备、表征技术 | 第33-45页 |
| ·电子束蒸发系统 | 第33-34页 |
| ·快速退火炉 | 第34-36页 |
| ·X射线衍射仪 | 第36-39页 |
| ·Raman散射光谱仪 | 第39-40页 |
| ·X射线光电子能谱仪 | 第40-43页 |
| ·半导体参数测试仪 | 第43页 |
| ·光谱型椭圆偏振仪 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 3 SnO薄膜的结晶取向控制及其Raman指纹研究 | 第45-58页 |
| ·SnO薄膜的制备 | 第45-46页 |
| ·衬底的选择和清洗 | 第45-46页 |
| ·SnO薄膜的沉积 | 第46页 |
| ·SnO薄膜的后处理 | 第46页 |
| ·SnO薄膜的结构特性 | 第46-57页 |
| ·SnO薄膜的XRD谱图分析 | 第46-48页 |
| ·SnO薄膜的XPS谱图分析 | 第48-49页 |
| ·SnO薄膜的Raman谱图分析 | 第49-50页 |
| ·SnO薄膜结晶取向转变的机理 | 第50-54页 |
| ·结晶取向转变与Raman指纹的关系 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 4 双极性SnO TFTs的性能调控 | 第58-70页 |
| ·SnO TFTs的制备 | 第58-60页 |
| ·衬底的选择和清洗 | 第59页 |
| ·SnO沟道层的制备 | 第59-60页 |
| ·SnO沟道的快速退火处理 | 第60页 |
| ·源漏电极的制备 | 第60页 |
| ·SnO TFTs器件的快速退火处理 | 第60页 |
| ·双极性SnO TFTs的性能调控 | 第60-69页 |
| ·化学计量比的调控 | 第60-63页 |
| ·注入势垒的调控 | 第63-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 5 结论与展望 | 第70-72页 |
| ·结论 | 第70-71页 |
| ·展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-81页 |
| 在学研究成果 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |