| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-16页 |
| ·光催化简介 | 第8-11页 |
| ·光催化的研究背景 | 第8-9页 |
| ·调控光催化活性的方法 | 第9-10页 |
| ·能带理论 | 第10-11页 |
| ·半导体的能带 | 第11页 |
| ·石墨相g-C_3N_4的研究进展 | 第11-15页 |
| ·氮化碳(C_3N_4)的研究背景 | 第11-12页 |
| ·类石墨相氮化碳g-C_3N_4的研究进展 | 第12-15页 |
| ·本文研究的内容及意义 | 第15-16页 |
| 第二章 计算方法 | 第16-26页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第16-18页 |
| ·Thomas-Fermi (T-F)模型 | 第17页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第17-18页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第18页 |
| ·近似密度泛函 | 第18-20页 |
| ·LDA近似 | 第19页 |
| ·GGA近似 | 第19-20页 |
| ·杂化密度泛函 | 第20页 |
| ·计算基组的选择 | 第20-23页 |
| ·Slater型基组 | 第21页 |
| ·高斯型基组 | 第21页 |
| ·STO-nG型基组 | 第21-22页 |
| ·劈裂价键基组 | 第22页 |
| ·扩展基组 | 第22-23页 |
| ·赝势基组 | 第23页 |
| ·固体能带计算方法 | 第23-24页 |
| ·投影缀加波方法(PAW) | 第23-24页 |
| ·本论文主要采用的计算软件包 | 第24-26页 |
| ·Gaussian简介 | 第24-25页 |
| ·VASP简介 | 第25-26页 |
| 第三章 金属掺杂类石墨相氮化碳团簇的电子性质的理论研究 | 第26-38页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·计算方法 | 第27-28页 |
| ·g-C_3N_4的几何结构及电子性质 | 第28-32页 |
| ·M/g-C_3N_4(M=Mn, Au, Cu) 的几何构型和电子性质 | 第32-34页 |
| ·g-C_3N_4和M/g-C_3N_4(M=Mn, Cu, Au)的键长及电荷分析 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 单原子Au掺杂单层类石墨相氮化碳(Au/g-C_3N_4)电子和光学性质的理论研究 | 第38-46页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·计算方法 | 第38-39页 |
| ·g-C_3N_4的构型、电子能带结构以及态密度 | 第39-42页 |
| ·Au/g-C_3N_4的构型、电子能带结构以及态密度 | 第42-43页 |
| ·Au/g-C_3N_4中Au的价态 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 不同金属掺杂单层类石墨相氮化碳(M/g-C_3N_4)电子性质的理论研究 | 第46-50页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·计算方法 | 第46-47页 |
| ·M/g-C_3N_4(M=Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Ag, Os, Ir, Pt, Au)的电子结构 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 结论与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 附录 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
