Ti3SiC2MAX相薄膜制备初步研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-23页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·Ti_3SiC_2MAX相结构 | 第7-8页 |
| ·Ti_3SiC_2MAX相材料性能 | 第8-15页 |
| ·耐高温性能 | 第8-11页 |
| ·抗氧化性 | 第11页 |
| ·力学性能 | 第11-12页 |
| ·耐摩擦性能 | 第12-13页 |
| ·耐化学腐蚀性能 | 第13页 |
| ·耐辐照性能 | 第13-14页 |
| ·总结 | 第14-15页 |
| ·Ti_3SiC_2薄膜制备方法 | 第15-22页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第15-17页 |
| ·物理气相沉积(PVD) | 第17-21页 |
| ·溅射沉积薄膜 | 第17-20页 |
| ·三源直流溅射 | 第17-18页 |
| ·复合靶溅射 | 第18-20页 |
| ·反应溅射 | 第20页 |
| ·高功率脉冲磁控溅射 | 第20-21页 |
| ·阴极电弧沉积 | 第21页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第21页 |
| ·总结 | 第21-22页 |
| ·Ti_3SiC_2MAX相薄膜研究现状 | 第22页 |
| ·研究目的及意义 | 第22-23页 |
| 第二章 实验内容及方法 | 第23-32页 |
| ·直流源磁控溅射制备薄膜 | 第23-26页 |
| ·实验所用衬底、靶材及设备 | 第23-25页 |
| ·制备流程 | 第25-26页 |
| ·中频源磁控溅射制备薄膜 | 第26-29页 |
| ·实验所用衬底、靶材及设备 | 第26-28页 |
| ·制备流程 | 第28-29页 |
| ·实验所用分析仪器 | 第29-32页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第29-30页 |
| ·俄歇电子能谱仪(AES) | 第30页 |
| ·扫面电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| ·能谱仪(EDS) | 第31-32页 |
| 第三章 实验结果与分析 | 第32-56页 |
| ·直流磁控溅射 | 第32-38页 |
| ·薄膜元素分析 | 第32-33页 |
| ·薄膜样品扫描电镜图 | 第33-34页 |
| ·薄膜样品物相分析 | 第34-35页 |
| ·基底温度对薄膜相的影响 | 第35-37页 |
| ·热处理对薄膜相的影响 | 第37页 |
| ·热处理对薄膜表面形貌的影响 | 第37-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| ·中频源磁控溅射 | 第39-55页 |
| ·薄膜元素比例分析 | 第39-40页 |
| ·不同基底温度对薄膜相的影响 | 第40-41页 |
| ·薄膜形貌 | 第41-42页 |
| ·热处理温度对薄膜的影响 | 第42-43页 |
| ·热处理温度对薄膜表面形貌的影响 | 第43-44页 |
| ·基底温度对热处理后薄膜相的影响 | 第44-45页 |
| ·基底温度对热处理后薄膜样品表面形貌的影响 | 第45-47页 |
| ·Ar分压对热处理后薄膜相的影响 | 第47-48页 |
| ·Ar分压对热处理后薄膜表面形貌的影响 | 第48-49页 |
| ·C元素含量对薄膜的影响 | 第49-53页 |
| ·C元素含量测定 | 第49-50页 |
| ·热处理后薄膜相分析 | 第50-51页 |
| ·热处理后表面形貌 | 第51-53页 |
| ·Clam钢基底 | 第53-55页 |
| ·热处理前后薄膜相分析 | 第53-54页 |
| ·热处理前后表面形貌 | 第54页 |
| ·Clam钢表面元素测定 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第四章 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 附录 | 第62页 |
