中文摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第一章 绪论 | 第10-46页 |
·引言 | 第10-11页 |
·石墨烯材料的发现 | 第11-13页 |
·石墨烯材料的基本结构 | 第13-14页 |
·石墨烯材料的优异性能 | 第14-18页 |
·石墨烯材料具有独特的电子特性 | 第15页 |
·石墨烯材料优异的光学特性 | 第15-16页 |
·石墨烯材料优异的力学特性 | 第16-17页 |
·石墨烯材料优异的热学特性 | 第17-18页 |
·石墨烯材料其他优异特性 | 第18页 |
·石墨烯材料的广泛应用 | 第18-24页 |
·石墨烯晶体管 | 第18-19页 |
·石墨烯显示器 | 第19-21页 |
·石墨烯储能器件 | 第21-22页 |
·石墨烯探测器 | 第22-24页 |
·石墨烯材料的制备方法 | 第24-37页 |
·机械剥离法 | 第25-26页 |
·碳化硅(SiC)升华法 | 第26-27页 |
·化学气相沉积(CVD)法 | 第27-31页 |
·氧化石墨烯材料还原法 | 第31-33页 |
·其他制备石墨烯材料的方法 | 第33-37页 |
·本论文的主要研究工作 | 第37-38页 |
·参考文献 | 第38-46页 |
第二章 石墨烯材料的生长系统和表征技术 | 第46-64页 |
·主要实验设备 | 第46-49页 |
·锗基石墨烯薄膜沉积系统 | 第46-47页 |
·气路控制与真空系统 | 第47-48页 |
·离子注入设备 | 第48-49页 |
·石墨烯材料的结构表征 | 第49-57页 |
·光学显微镜表(OM)征 | 第49-51页 |
·扫描电子显微镜(SEM)表征 | 第51-52页 |
·激光拉曼光谱(Raman)表征 | 第52-54页 |
·原子力显微镜(AFM)表征 | 第54-55页 |
·透射电子显微镜(TEM)表征 | 第55-57页 |
·石墨烯材料的转移 | 第57-58页 |
·石墨烯场效应晶体管(GFETs)制作 | 第58-60页 |
·本章小结 | 第60页 |
·参考文献 | 第60-64页 |
第三章 常压化学气相沉积法制备锗基石墨烯 | 第64-84页 |
·引言 | 第64-66页 |
·锗基石墨烯制备的优化 | 第66-73页 |
·生长温度对制备石墨烯的影响 | 第67-68页 |
·气体比率制备石墨烯的影响 | 第68-71页 |
·生长时间对制备石墨烯的影响 | 第71-73页 |
·制备高质量、均匀的连续单层石墨烯 | 第73-74页 |
·锗基石墨烯的晶粒 | 第74-75页 |
·锗基石墨烯的电学性能表征 | 第75-77页 |
·锗表面自限制生长石墨烯 | 第77-78页 |
·本章小结 | 第78-79页 |
·参考文献 | 第79-84页 |
第四章 基于离子注入技术和热驱动法制备层数可控的石墨烯材料 | 第84-104页 |
·引言 | 第84-85页 |
·层数可控石墨烯材料的制备 | 第85-89页 |
·实验过程 | 第85-86页 |
·单、双层石墨烯材料的质量表征 | 第86-88页 |
·实现大面积、均匀的单、双层石墨烯制备 | 第88-89页 |
·石墨烯层数精准可控 | 第89-90页 |
·单、双层石墨烯晶体质量的表征 | 第90-93页 |
·单层石墨烯的TEM和SAED表征 | 第90-92页 |
·双层石墨烯的TEM和SAED表征 | 第92-93页 |
·单、双层石墨烯的电学性能表征 | 第93-94页 |
·离子注入法制备层数可控石墨烯的物理机制 | 第94-98页 |
·SIMS和XPS研究其生长机理 | 第94-96页 |
·第一性原理(DFT)和分子动力学(MD)研究其生长机理 | 第96-98页 |
·本章小结 | 第98页 |
·参考文献 | 第98-104页 |
第五章 掺杂石墨烯材料的可控制备及光电应用 | 第104-120页 |
·引言 | 第104-105页 |
·控制注入种类分别制备P型和N型掺杂石墨烯 | 第105-111页 |
·实验过程 | 第105-106页 |
·P型和N型掺杂石墨烯的Raman表征 | 第106-107页 |
·P型和N型掺杂石墨烯的XPS表征 | 第107-109页 |
·P型和N型掺杂石墨烯的TEM表征 | 第109-111页 |
·P型和N型掺杂石墨烯电学性能表征 | 第111-113页 |
·控制注入剂量调控石墨烯掺杂含量 | 第113-115页 |
·本章小结 | 第115页 |
·参考文献 | 第115-120页 |
第六章 全文总结和工作展望 | 第120-122页 |
·全文总结 | 第120-121页 |
·工作展望 | 第121-122页 |
攻读学位期间发表论文、申请专利情况 | 第122-128页 |
致谢 | 第128页 |