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石墨烯材料的生长与调控

中文摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第一章 绪论第10-46页
   ·引言第10-11页
   ·石墨烯材料的发现第11-13页
   ·石墨烯材料的基本结构第13-14页
   ·石墨烯材料的优异性能第14-18页
     ·石墨烯材料具有独特的电子特性第15页
     ·石墨烯材料优异的光学特性第15-16页
     ·石墨烯材料优异的力学特性第16-17页
     ·石墨烯材料优异的热学特性第17-18页
     ·石墨烯材料其他优异特性第18页
   ·石墨烯材料的广泛应用第18-24页
     ·石墨烯晶体管第18-19页
     ·石墨烯显示器第19-21页
     ·石墨烯储能器件第21-22页
     ·石墨烯探测器第22-24页
   ·石墨烯材料的制备方法第24-37页
     ·机械剥离法第25-26页
     ·碳化硅(SiC)升华法第26-27页
     ·化学气相沉积(CVD)法第27-31页
     ·氧化石墨烯材料还原法第31-33页
     ·其他制备石墨烯材料的方法第33-37页
   ·本论文的主要研究工作第37-38页
   ·参考文献第38-46页
第二章 石墨烯材料的生长系统和表征技术第46-64页
   ·主要实验设备第46-49页
     ·锗基石墨烯薄膜沉积系统第46-47页
     ·气路控制与真空系统第47-48页
     ·离子注入设备第48-49页
   ·石墨烯材料的结构表征第49-57页
     ·光学显微镜表(OM)征第49-51页
     ·扫描电子显微镜(SEM)表征第51-52页
     ·激光拉曼光谱(Raman)表征第52-54页
     ·原子力显微镜(AFM)表征第54-55页
     ·透射电子显微镜(TEM)表征第55-57页
   ·石墨烯材料的转移第57-58页
   ·石墨烯场效应晶体管(GFETs)制作第58-60页
   ·本章小结第60页
   ·参考文献第60-64页
第三章 常压化学气相沉积法制备锗基石墨烯第64-84页
   ·引言第64-66页
   ·锗基石墨烯制备的优化第66-73页
     ·生长温度对制备石墨烯的影响第67-68页
     ·气体比率制备石墨烯的影响第68-71页
     ·生长时间对制备石墨烯的影响第71-73页
   ·制备高质量、均匀的连续单层石墨烯第73-74页
   ·锗基石墨烯的晶粒第74-75页
   ·锗基石墨烯的电学性能表征第75-77页
   ·锗表面自限制生长石墨烯第77-78页
   ·本章小结第78-79页
   ·参考文献第79-84页
第四章 基于离子注入技术和热驱动法制备层数可控的石墨烯材料第84-104页
   ·引言第84-85页
   ·层数可控石墨烯材料的制备第85-89页
     ·实验过程第85-86页
     ·单、双层石墨烯材料的质量表征第86-88页
     ·实现大面积、均匀的单、双层石墨烯制备第88-89页
   ·石墨烯层数精准可控第89-90页
   ·单、双层石墨烯晶体质量的表征第90-93页
     ·单层石墨烯的TEM和SAED表征第90-92页
     ·双层石墨烯的TEM和SAED表征第92-93页
   ·单、双层石墨烯的电学性能表征第93-94页
   ·离子注入法制备层数可控石墨烯的物理机制第94-98页
     ·SIMS和XPS研究其生长机理第94-96页
     ·第一性原理(DFT)和分子动力学(MD)研究其生长机理第96-98页
   ·本章小结第98页
   ·参考文献第98-104页
第五章 掺杂石墨烯材料的可控制备及光电应用第104-120页
   ·引言第104-105页
   ·控制注入种类分别制备P型和N型掺杂石墨烯第105-111页
     ·实验过程第105-106页
     ·P型和N型掺杂石墨烯的Raman表征第106-107页
     ·P型和N型掺杂石墨烯的XPS表征第107-109页
     ·P型和N型掺杂石墨烯的TEM表征第109-111页
   ·P型和N型掺杂石墨烯电学性能表征第111-113页
   ·控制注入剂量调控石墨烯掺杂含量第113-115页
   ·本章小结第115页
   ·参考文献第115-120页
第六章 全文总结和工作展望第120-122页
   ·全文总结第120-121页
   ·工作展望第121-122页
攻读学位期间发表论文、申请专利情况第122-128页
致谢第128页

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