超高纯铜晶粒控制及晶界特征分布研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 1 绪论 | 第12-24页 |
| ·超高纯铜溅射靶材综述 | 第12-15页 |
| ·集成电路中高纯金属靶材的应用及发展趋势 | 第12-13页 |
| ·超高纯铜特性及其在集成电路中的应用 | 第13-15页 |
| ·铜靶材的塑性变形及热处理工艺研究进展 | 第15-19页 |
| ·晶界工程 | 第19-24页 |
| ·基于退火孪晶的晶界工程简介 | 第19-21页 |
| ·晶界工程实现工艺 | 第21-22页 |
| ·纯铜晶界工程研究现状 | 第22-24页 |
| 2 课题选择的目的和意义 | 第24-25页 |
| ·课题研究目标 | 第24页 |
| ·课题研究的意义 | 第24-25页 |
| 3 实验材料、设备及方案 | 第25-33页 |
| ·实验材料 | 第25-26页 |
| ·实验设备 | 第26-28页 |
| ·分析测试方法 | 第28-29页 |
| ·硬度测试 | 第28页 |
| ·晶粒尺寸及均匀性分析 | 第28-29页 |
| ·EBSD背散射衍射分析 | 第29页 |
| ·实验方案 | 第29-33页 |
| ·初始状态的确定 | 第29页 |
| ·再结晶过程的研究 | 第29-30页 |
| ·异常晶粒特征分析 | 第30页 |
| ·反复再结晶工艺对超高纯铜组织的影响 | 第30-32页 |
| ·单步再结晶与反复应变退火 | 第32-33页 |
| 4 超高纯铜再结晶特性研究 | 第33-47页 |
| ·超高纯铜初始状态分析 | 第33-34页 |
| ·不同冷轧变形量下的高纯铜再结晶温度 | 第34-38页 |
| ·变形量对再结晶温度的影响 | 第38-39页 |
| ·加工软化现象 | 第39-40页 |
| ·再结晶的稳定过程 | 第40-42页 |
| ·冷轧超高纯铜再结晶织构研究 | 第42-44页 |
| ·超高纯铜异常晶粒长大机理研究 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 5 晶界工程处理对超高纯铜微观组织的影响 | 第47-61页 |
| ·常规热处理工艺 | 第47-49页 |
| ·反复再结晶工艺对高纯铜微观组织的影响 | 第49-53页 |
| ·反复再结晶工艺处理后的组织 | 第49-51页 |
| ·不同循环轧制次数对高纯铜组织的影响 | 第51-53页 |
| ·单步再结晶与反复应变退火 | 第53-56页 |
| ·不同热处理工艺对比分析 | 第56-59页 |
| ·不同GBE工艺对比分析 | 第56-57页 |
| ·与常规热处理工艺对比分析 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
