| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·纳米材料简介 | 第9页 |
| ·纳米材料的特性 | 第9-10页 |
| ·量子尺寸效应 | 第9页 |
| ·小尺寸效应 | 第9页 |
| ·表面效应 | 第9-10页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第10页 |
| ·一维纳米材料的优势 | 第10页 |
| ·一维纳米材料的研究现状 | 第10-16页 |
| ·一维纳米材料的制备方法 | 第11-13页 |
| ·气相法生长 | 第11-12页 |
| ·VLS 机理 | 第11-12页 |
| ·VS 生长机制 | 第12页 |
| ·液相法 | 第12-13页 |
| ·溶液- 液相- 固相(简称 SLS 生长机制) | 第12-13页 |
| ·水热法 | 第13页 |
| ·溶剂热合成方法 | 第13页 |
| ·模板法 | 第13页 |
| ·II-VI 族一维半导体纳米材料 | 第13-16页 |
| ·CdSe 一维纳米材料 | 第14-15页 |
| ·硫化镉一维纳米材料 | 第15-16页 |
| ·纳米加工技术 | 第16-18页 |
| ·各种器件结构，以及相应的制备方法 | 第16-17页 |
| ·平面工艺 | 第16页 |
| ·探针工艺 | 第16-17页 |
| ·模型工艺 | 第17页 |
| ·本课题组具有的一些加工手段 | 第17-18页 |
| ·选题目的、意义以及研究内容 | 第18-21页 |
| ·选题的目的和意义 | 第18页 |
| ·研究内容 | 第18-21页 |
| 第二章 铋掺杂的硒化镉纳米带生长和电子传输性能 | 第21-33页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·实验部分 | 第21-25页 |
| ·实验仪器 | 第21-23页 |
| ·主要试剂 | 第23页 |
| ·实验 | 第23-25页 |
| ·Bi: CdSe 纳米带的制备 | 第23-24页 |
| ·材料表征 | 第24页 |
| ·器件制备 | 第24-25页 |
| ·Bi:CdSe 纳米带的电子传输性能测试 | 第25页 |
| ·结果与讨论 | 第25-32页 |
| ·Bi:CdSe 纳米带的表征 | 第25-29页 |
| ·扫描电子显微镜和能谱分析 | 第25-26页 |
| ·透射电子显微镜和 X 射线衍射分析 | 第26-28页 |
| ·XPS 分析 | 第28-29页 |
| ·拉曼光谱表征 | 第29页 |
| ·Bi:CdSe 纳米带的电子传输性能 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 氯掺杂的硒化镉纳米带生长、器件和性能 | 第33-45页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·实验部分 | 第33-34页 |
| ·实验仪器 | 第33-34页 |
| ·实验药品 | 第34页 |
| ·实验过程 | 第34-35页 |
| ·Cl:CdSe 纳米带的合成 | 第34-35页 |
| ·材料表征 | 第35页 |
| ·器件制备和性能测试 | 第35页 |
| ·．结果分析与讨论 | 第35-44页 |
| ·Cl:CdSe 纳米带的形貌、组成和结构 | 第35-38页 |
| ·单根 Cl:CdSe 纳米带 FET | 第38页 |
| ·Cl:CdSe 纳米带的电导率和光电导率 | 第38-40页 |
| ·Cl:CdSe 纳米带的光电特性 | 第40-43页 |
| ·表面态对 Cl:CdSe 纳米带电子传输性能的影响 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 硫化镉纳米带的制备和性能 | 第45-59页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·实验部分 | 第45-48页 |
| ·实验仪器 | 第45页 |
| ·实验药品 | 第45-46页 |
| ·实验步骤 | 第46-48页 |
| ·Au 催化生长的 CdS 纳米带 | 第46页 |
| ·无催化剂生长 CdS 微纳米带 | 第46-47页 |
| ·Ag_2S 纳米颗粒催化生长 CdS 一维纳米结构 | 第47页 |
| ·电极模板的制备 | 第47页 |
| ·光电器件的制备 | 第47-48页 |
| ·材料表征 | 第48页 |
| ·实验结果与讨论 | 第48-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 总结与展望 | 第59-61页 |
| 总结 | 第59页 |
| 展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 攻读硕士期间发表的文章 | 第71页 |