| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·半导体核辐射探测器概述 | 第9-14页 |
| ·TlBr 核辐射探测器的研究进展 | 第14-17页 |
| ·本文的研究内容 | 第17-18页 |
| 2 TlBr 探测器的制备工艺和表征方法 | 第18-30页 |
| ·TlBr 探测器的制备流程 | 第18-27页 |
| ·表征方法 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 3 TlBr 晶体生长研究 | 第30-42页 |
| ·熔体法生长原理 | 第30-32页 |
| ·电控动态梯度法 | 第32-33页 |
| ·炉温测试和控温程序设定 | 第33-35页 |
| ·安瓿锥度对晶体质量的影响 | 第35-38页 |
| ·气氛对晶体质量的影响 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 4 TlBr 晶体的退火研究 | 第42-54页 |
| ·实验过程 | 第42-43页 |
| ·炉温设定 | 第43-44页 |
| ·退火温度的影响 | 第44-48页 |
| ·退火气氛的影响 | 第48-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 5 结论与展望 | 第54-56页 |
| ·全文总结 | 第54-55页 |
| ·课题展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表论文 | 第61页 |