| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| ·异质结的研究意义 | 第8-10页 |
| ·异质结的研究现状与课题来源 | 第10-13页 |
| ·本文的主要内容与组织结构 | 第13-15页 |
| 2 异质结的原理 | 第15-31页 |
| ·异质结的基本模型和主要性质 | 第15-19页 |
| ·超晶格与量子阱 | 第19-24页 |
| ·异质结的材料技术 | 第24-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 3 AlGaN 异质结中 AlN 模板的生长研究 | 第31-45页 |
| ·材料生长的设备与测试、表征手段 | 第32-34页 |
| ·AlN 模板的优化实验 | 第34-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 4 用于 310nm 紫外波段 AlGaN 多量子阱的生长 | 第45-62页 |
| ·AlGaN 多量子阱（MQWs）工艺设计与生长 | 第46-48页 |
| ·多量子阱外延片的表征与分析 | 第48-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 5 分布式布拉格反射器的生长 | 第62-75页 |
| ·分布式布拉格反射器的性能指标 | 第62-64页 |
| ·AlGaN 基分布式布拉格反射器（DBR）的生长 | 第64-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 6 总结与展望 | 第75-78页 |
| ·论文实验工作总结 | 第75-76页 |
| ·实验工作展望 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-87页 |