| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-18页 |
| 第1章 绪论 | 第18-41页 |
| ·引言 | 第18-19页 |
| ·氧化钒的晶体结构与性能 | 第19-28页 |
| ·氧化钒相图和种类 | 第19页 |
| ·二氧化钒（VO_2）的晶体结构与性能 | 第19-24页 |
| ·三氧化二钒（V_2O_3）的晶体结构与性能 | 第24-26页 |
| ·五氧化二钒（V_2O5）的晶体结构与性能 | 第26-27页 |
| ·十三氧化六钒（V_6O_(13)）的晶体结构与性能 | 第27-28页 |
| ·氧化钒薄膜的主要制备方法 | 第28-31页 |
| ·溅射法 | 第29页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第29-30页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第30-31页 |
| ·蒸发法 | 第31页 |
| ·氧化钒薄膜的掺杂 | 第31-33页 |
| ·掺杂方法 | 第31-32页 |
| ·掺杂元素对相变温度的影响 | 第32-33页 |
| ·掺杂元素含量对相变温度的影响 | 第33页 |
| ·氧化钒薄膜的电学性质 | 第33-35页 |
| ·热电阻温度系数 | 第33-34页 |
| ·薄膜的开关特性 | 第34页 |
| ·薄膜的转换温度偏移 | 第34-35页 |
| ·制备条件对氧化钒薄膜性能的影响 | 第35-37页 |
| ·衬底对薄膜性能的影响 | 第35页 |
| ·氧气压力对薄膜性能的影响 | 第35-36页 |
| ·沉积温度对薄膜性能的影响 | 第36页 |
| ·制备方法对薄膜性能的影响 | 第36-37页 |
| ·微桥结构对微测辐射热计性能的影响及其优化途径 | 第37-38页 |
| ·选题意义及主要研究内容 | 第38-41页 |
| ·选题意义 | 第38-40页 |
| ·主要研究内容 | 第40-41页 |
| 第2章 材料及实验方法 | 第41-51页 |
| ·薄膜制备设备及试验材料 | 第41-43页 |
| ·薄膜制备设备 | 第41页 |
| ·试验材料 | 第41-43页 |
| ·微测辐射热计微加工系统及试验材料 | 第43-47页 |
| ·准分子激光微加工系统 | 第43-44页 |
| ·试验材料 | 第44-47页 |
| ·相成分及相结构分析 | 第47-48页 |
| ·X射线衍射（XRD）分析 | 第47-48页 |
| ·X射线光电子能谱（XPS）分析 | 第48页 |
| ·表面结构分析 | 第48页 |
| ·原子力显微（AFM）分析 | 第48页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第48页 |
| ·台阶仪 | 第48页 |
| ·光电性能测试 | 第48-51页 |
| ·电流—电压（I-V）特性 | 第49页 |
| ·深能级瞬态谱（Q-DLTS） | 第49-50页 |
| ·光电压（流）响应瞬态光谱（Vph（t）和Iph（t）） | 第50页 |
| ·电流-时间（I-T）特性 | 第50-51页 |
| 第3章 VO_2/p-Si薄膜的相结构及光电性能 | 第51-81页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·VO_2/P-SI薄膜的相结构 | 第51-56页 |
| ·衬底温度对VO_2/p-Si相结构的影响 | 第51页 |
| ·氧气压力对VO_2/p-Si相结构的影响 | 第51-52页 |
| ·激光能量对VO_2/p-Si相结构的影响 | 第52页 |
| ·靶材-衬底距离对VO_2/p-Si相结构的影响 | 第52-56页 |
| ·VO_2/P-SI薄膜的成分价态 | 第56-59页 |
| ·PLD沉积VO_2/P-SI薄膜的相结构转变过程 | 第59-66页 |
| ·膜层的物相分析 | 第59-61页 |
| ·膜层的成分价态分析 | 第61-62页 |
| ·PLD沉积VO_2/p-Si薄膜的气体动力学机制 | 第62-66页 |
| ·VO_2/P-SI薄膜的光电性能 | 第66-80页 |
| ·VO_2/p-Si薄膜的R-T特性 | 第66-71页 |
| ·VO_2/p-Si薄膜的Q-DLTS | 第71-75页 |
| ·VO_2/p-Si薄膜的Vph(t) | 第75-77页 |
| ·VO_2/p-Si薄膜的Iph(t) | 第77-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第4章 V_2O_3/p-Si薄膜的相结构及光电性能 | 第81-103页 |
| ·引言 | 第81页 |
| ·V_2O_3/P-SI薄膜的相结构 | 第81-86页 |
| ·常规布拉格衍射（CBD）和样品倾斜衍射（STD） | 第81-84页 |
| ·CBD扫描模式的膜层物相结构 | 第84页 |
| ·非偶合STD扫描模式的膜层物相结构 | 第84-86页 |
| ·V_2O_3/P-SI薄膜的成分价态 | 第86-89页 |
| ·V_2O_3/P-SI薄膜的光电性能 | 第89-101页 |
| ·V_2O_3/p-Si薄膜的R-T特性 | 第89-95页 |
| ·V_2O_3/p-Si薄膜的Q-DLTS | 第95-96页 |
| ·V_2O_3/p-Si薄膜的Vph(t) | 第96-100页 |
| ·V_2O_3/p-Si薄膜的Iph(t) | 第100-101页 |
| ·本章小结 | 第101-103页 |
| 第5章 掺Mo(Al)-VO_X/p-Si薄膜的相结构及光电性能 | 第103-125页 |
| ·引言 | 第103页 |
| ·掺MO(AL)- VO_X/P-SI薄膜的相结构 | 第103-105页 |
| ·掺Al- VO_X/p-Si薄膜的相结构 | 第103页 |
| ·掺Mo-VO_X/p-Si薄膜的相结构 | 第103-105页 |
| ·掺MO(AL)- VO_X/P-SI薄膜的成分价态 | 第105-115页 |
| ·膜层的成分价态 | 第105-112页 |
| ·掺杂元素的定量分析 | 第112-115页 |
| ·掺MO(AL)- VO_X/P-SI薄膜的光电性能 | 第115-124页 |
| ·掺Mo(Al)- VO_X/p-Si薄膜的R-T特性 | 第115-116页 |
| ·掺Mo(Al)- VO_X/p-Si薄膜的Q-DLTS | 第116-120页 |
| ·掺Mo(Al)- VO_X/p-Si薄膜的Vph(t) | 第120-121页 |
| ·掺Mo(Al)- VO_X/p-Si薄膜的Iph(t) | 第121-124页 |
| ·本章小结 | 第124-125页 |
| 第6章 VO_X/PI/Si微测辐射热计的研制和性能 | 第125-159页 |
| ·引言 | 第125-126页 |
| ·VO_X/PI/SI微测辐射热计的模型参数的理论分析 | 第126-134页 |
| ·微测辐射热计微桥的基本结构 | 第126页 |
| ·微测辐射热计的基本原理和性能参数 | 第126-130页 |
| ·微测辐射热计性能的限制因素 | 第130-131页 |
| ·聚酰亚胺微桥的微测辐射热计性能的理论预测 | 第131-134页 |
| ·VO_X/PI/SI微测辐射热计的结构和工艺的设计 | 第134-137页 |
| ·微测辐射热计结构的设计 | 第134-135页 |
| ·微测辐射热计结构参数的设计 | 第135-136页 |
| ·VO_X/PI/Si微测辐射热计工艺的设计 | 第136-137页 |
| ·VO_X/PI/SI微测辐射热计的微制造技术研究 | 第137-145页 |
| ·KrF准分子激光刻蚀PI的机理 | 第138-141页 |
| ·KrF准激光微刻蚀VO_X/PI微桥的实验研究 | 第141-144页 |
| ·VO_X/PI悬空结构的粘贴工艺研究 | 第144-145页 |
| ·VO_X/PI/SI微测辐射热计的性能测试及分析 | 第145-157页 |
| ·VO_X/PI/Si微测辐射热计单元的光电性能 | 第145-150页 |
| ·VO_X/PI/Si微测辐射热计单元的热学性能 | 第150-155页 |
| ·VO_X/PI/Si微测辐射热计阵列的性能预测 | 第155-157页 |
| ·本章小结 | 第157-159页 |
| 结论 | 第159-161页 |
| 参考文献 | 第161-169页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第169-172页 |
| 致谢 | 第172-173页 |
| 个人简历 | 第173页 |
