摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-13页 |
第1章 绪论 | 第13-29页 |
·钙钛矿氧化物材料的研究概述 | 第13-14页 |
·钙钛矿氧化物的结构特征 | 第14-15页 |
·热释电效应 | 第15-18页 |
·电流-电压非线性效应 | 第18-20页 |
·钙钛矿氧化物的三阶光学非线性特性 | 第20-21页 |
·肖特基结 | 第21-23页 |
·本论文的主要研究内容 | 第23-25页 |
本章参考文献 | 第25-29页 |
第2章 脉冲激光沉积技术及样品表征方法 | 第29-43页 |
·引言 | 第29页 |
·脉冲激光沉积技术原理 | 第29-31页 |
·薄膜制备的工艺条件 | 第31-33页 |
·脉冲激光沉积制膜技术的特点 | 第33-34页 |
·样品的表征方法及原理 | 第34-40页 |
·X 射线衍射分析 | 第35-36页 |
·X 射线光电子能谱和能量扩散的X 射线分析 | 第36-37页 |
·原子力显微镜和扫描电子显微镜 | 第37-40页 |
·小结 | 第40-41页 |
本章参考文献 | 第41-43页 |
第3章 CaCu_3Ti_40_(12)薄膜的热释电特性及应用 | 第43-63页 |
·引言 | 第43-44页 |
·CaCu_3Ti_40_(12)薄膜的制备与表征 | 第44-47页 |
·CaCu_3Ti_40_(12)薄膜热释电系数的测量 | 第47-50页 |
·热释电系数测量原理与实验装置 | 第47-48页 |
·热释电系数测量结果 | 第48-50页 |
·CaCu_3Ti_40_(12)薄膜热释电效应的解释 | 第50-52页 |
·在ITO 上生长的CaCu_3Ti_40_(12)薄膜的类热释电效应 | 第52-54页 |
·CaCu_3Ti_40_(12)薄膜热释电特性的应用 | 第54-60页 |
·CaCu_3Ti_40_(12)薄膜热释电探测器的制备 | 第54-55页 |
·CaCu_3Ti_40_(12)薄膜热释电探测器信号的测试 | 第55-58页 |
·CaCu_3Ti_40_(12)薄膜热释电探测器信号的分析 | 第58-60页 |
·本章小结 | 第60-61页 |
本章参考文献 | 第61-63页 |
第4章 CaCu_3Ti_40_(12)薄膜的非线性导电特性 | 第63-85页 |
·引言 | 第63-64页 |
·CaCu_3Ti_40_(12)/Pt 的肖特基结整流特性研究 | 第64-70页 |
·Pt/CaCu_3Ti_40_(12)/ITO 样品的制备与表征 | 第64-65页 |
·ITO/CaCu_3Ti_40_(12)/Pt 样品的I-V 关系 | 第65-66页 |
·CaCu_3Ti_40_(12)/Pt 肖特基结的整流特性分析 | 第66-70页 |
·Au: CaCu_3Ti_40_(12)薄膜的I-V 非线性增强特性研究 | 第70-82页 |
·Au:CaCu_3Ti_40_(12)薄膜的样品制备 | 第70-74页 |
·CaCu_3Ti_40_(12)和Au: CaCu_3Ti_40_(12)薄膜样品I-V 关系的测量 | 第74-76页 |
·不同温度下Au: CaCu_3Ti_40_(12)薄膜I-V 特性 | 第76-78页 |
·Au: CaCu_3Ti_40_(12)薄膜增强I-V 非线性效应的解释 | 第78-82页 |
·本章小结 | 第82-83页 |
本章参考文献 | 第83-85页 |
第5章 Au: Ba_(0.6)Sr_(0.4)Ti0_3薄膜的非线性光学性质 | 第85-109页 |
·引言 | 第85-87页 |
·光与介质相互作用 | 第87-88页 |
·单光束纵向扫描技术 | 第88-90页 |
·Z 扫描技术的理论计算 | 第90-94页 |
·非线性折射率n_2的计算 | 第91-93页 |
·非线性吸收系数β的计算 | 第93-94页 |
·Au:Ba_(0.6)Sr_(0.4)Ti0_3薄膜的制备及表征 | 第94-99页 |
·Au: Ba_(0.6)Sr_(0.4)Ti0_3薄膜的非线性光学性质 | 第99-102页 |
·金属纳米复合薄膜非线性增强机制 | 第102-106页 |
·本章小结 | 第106-107页 |
本章参考文献 | 第107-109页 |
第6章 总结与展望 | 第109-113页 |
·本论文工作的主要研究内容和成果 | 第109-110页 |
·对未来工作的展望 | 第110-113页 |
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第113-115页 |
致谢 | 第115-118页 |