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重夸克偶素衰变中耦合道效应的研究

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第一章 引言第10-15页
第二章 理论模型第15-20页
   ·中间介子圈模型第15-17页
   ·有效拉氏量第17-18页
   ·形状因子第18-20页
第三章 粲偶素E1辐射衰变第20-33页
   ·E1辐射衰变计算过程第22-25页
     ·E1辐射衰变拉氏量第22-24页
     ·耦合常数第24-25页
   ·E1辐射衰变数值计算第25-32页
     ·2S→1P,1D→1P的辐射衰变第25-27页
     ·1P→1S的辐射衰变第27-28页
     ·2P态的辐射衰变第28-32页
   ·小结与讨论第32-33页
第四章 Z_b/Z_b~'→γπ和h_bπ的衰变第33-41页
   ·Z_b/Z_b~'→γπ和h_bπ的计算过程第33-37页
     ·Z_b/Z_b~'→γπ和h_bπ的辐射衰变拉氏量第33-35页
     ·耦合常数第35-37页
   ·Z_b/Z_b~'→γπ和%π衰变的数值计算结果第37-40页
     ·Z_b/Z_b~'→γπ衰变的结果第37-38页
     ·Z_b/Z_b~'→h_b(mP)π衰变的结果第38-39页
     ·不同衰变随α值的变化规律第39-40页
   ·小结与讨论第40-41页
第五章 总结与展望第41-43页
   ·总结第41页
   ·展望第41-43页
附录第43-45页
参考文献第45-49页
发表论文目录第49-50页
致谢第50页

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