| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-33页 |
| ·纳米科技与纳米材料 | 第13-22页 |
| ·纳米科技的发展及重要意义 | 第13-16页 |
| ·纳米材料的制备及应用 | 第16-22页 |
| ·拓扑绝缘体 | 第22-28页 |
| ·拓扑绝缘体概述 | 第22-25页 |
| ·Majorana 费米子和量子反常霍尔效应 | 第25-28页 |
| ·高压科学 | 第28-31页 |
| ·高压科学的发展 | 第28-29页 |
| ·高压科学的应用 | 第29-31页 |
| ·本论文的研究内容及意义 | 第31-33页 |
| 第二章 可控制备 CuSe 和 Cu_(2-x)Se 纳米材料及其性质研究 | 第33-45页 |
| ·片状 CuSe 纳米材料的制备 | 第33-36页 |
| ·实验部分 | 第33-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-36页 |
| ·球形和棒状 Cu_(2-x)Se 纳米材料的制备 | 第36-42页 |
| ·实验部分 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-42页 |
| ·CuSe 和 Cu_(2-x)Se 纳米材料的电子传输性质研究 | 第42-44页 |
| ·器件制备 | 第42-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 可控制备空心 Cu_(2-x)Te 纳米材料及其性质研究 | 第45-61页 |
| ·空心 Cu_(2-x)Te 纳米材料的制备 | 第46-50页 |
| ·实验部分 | 第46-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-50页 |
| ·空心 Cu_(2-x)Te 纳米材料的形成机理研究 | 第50-52页 |
| ·实验部分 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-52页 |
| ·反应条件对 Cu_(2-x)Te 纳米材料空心尺寸的调控 | 第52-54页 |
| ·实验部分 | 第52-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-54页 |
| ·空心 Cu_(2-x)Te 纳米材料的气敏性质研究 | 第54-58页 |
| ·器件制备 | 第54-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-58页 |
| ·空心 Cu_(2-x)Te 纳米材料的高压探索性研究 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 可控制备分级结构的 Bi_2S_3纳米材料及其性质研究 | 第61-75页 |
| ·穗状 Bi_2S_3纳米材料的制备 | 第61-66页 |
| ·实验部分 | 第61-63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-66页 |
| ·穗状 Bi_2S_3纳米材料的形成机理研究 | 第66-68页 |
| ·实验部分 | 第66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-68页 |
| ·反应条件对 Bi_2S_3纳米材料形貌的调控 | 第68-70页 |
| ·实验部分 | 第68页 |
| ·结果与讨论 | 第68-70页 |
| ·分级结构 Bi_2S_3纳米材料的可见光吸收性质研究 | 第70-71页 |
| ·分级结构 Bi_2S_3纳米材料的光开关性质研究 | 第71-74页 |
| ·器件制备 | 第71页 |
| ·结果与讨论 | 第71-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 可控制备分级结构的 Bi_2Te_3纳米材料及其性质研究 | 第75-93页 |
| ·分级结构的 Bi_2Te_3纳米材料的制备 | 第78-83页 |
| ·实验部分 | 第78-79页 |
| ·结果与讨论 | 第79-83页 |
| ·分级结构的 Bi_2Te_3纳米材料的磁性研究 | 第83-91页 |
| ·磁性表征 | 第83-85页 |
| ·磁性来源的第一性原理计算 | 第85-91页 |
| ·模型构建 | 第87-88页 |
| ·结果与讨论 | 第88-91页 |
| ·分级结构的 Bi_2Te_3纳米材料的高压探索性研究 | 第91-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 第六章 结论与展望 | 第93-97页 |
| 参考文献 | 第97-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
| 作者简介 | 第117-119页 |
| 攻读博士学位期间发表的文章 | 第119-121页 |
| 攻读博士学位期间申请的发明专利 | 第121页 |
