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基于金属—半导体接触的增强拉曼散射研究

内容提要第1-8页
符号说明第8-9页
第一章 绪论第9-51页
   ·ZnO 纳米材料第10-21页
     ·半导体纳米材料第10-12页
     ·ZnO 纳米材料第12-18页
     ·ZnO 纳米棒的特性及应用第18-21页
   ·金属/半导体接触第21-26页
     ·表面与界面第21-22页
     ·半导体的表面和界面性质第22-24页
     ·金属/半导体界面第24-26页
   ·基于半导体材料的拉曼光谱第26-49页
     ·拉曼光谱概述第26-27页
     ·SERS 光谱概述第27-29页
     ·SERS 增强机理第29-32页
     ·CT 机制理论模型第32-37页
     ·PATP 分子的 SERS 研究进展第37-43页
     ·基于半导体材料的拉曼光谱第43-48页
     ·待解决的问题第48-49页
   ·本论文的选题及研究内容第49-51页
第二章 实验部分第51-55页
   ·主要试剂及仪器第51-52页
     ·主要化学试剂第51页
     ·主要仪器第51-52页
   ·样品制备第52-54页
     ·Ag 溶胶的制备第52-53页
     ·Au 溶胶的制备第53页
     ·组装体的制备第53-54页
   ·数据处理第54-55页
     ·二维相关光谱第54页
     ·Waterfall 数据处理第54-55页
第三章 多声子共振拉曼及 ZnO/分子界面光诱导电荷转移第55-76页
   ·前言第55-57页
   ·结果与讨论第57-74页
     ·SEM 形貌第57-58页
     ·XRD 晶体结构表征第58-59页
     ·Cu-ZnO-PATP 模型的可见-红外 SERS 光谱第59-62页
     ·Cu-ZnO-PATP 模型的能带图第62-64页
     ·电荷转移度的计算及机理解释第64-67页
     ·Cu-ZnO-PATP 模型的 MRRS 光谱第67-71页
     ·二维相关拉曼光谱分析第71-74页
   ·本章小结第74-76页
第四章 界面电荷转移效应:改变组装顺序的影响第76-92页
   ·前言第76-77页
   ·结果与讨论第77-90页
     ·SEM 形貌表征第77-80页
     ·四种结构的 SERS 光谱表征第80-81页
     ·电荷转移度的计算及机理解释第81-90页
   ·本章小结第90-92页
第五章 基于 Metal-ZnO 界面的 SERS 电荷转移机制研究第92-105页
   ·前言第92-93页
   ·结果与讨论第93-104页
     ·Au-ZnO-PATP 模型的制备第93页
     ·Au-ZnO-PATP 模型 SEM 形貌表征第93-95页
     ·Au-ZnO-PATP 模型的 SERS 光谱第95-99页
     ·Cu-ZnO-PATP 模型的 SERS 光谱第99-104页
   ·本章小结第104-105页
附录一 C2v点群分子的振动模式第105-109页
 1. 分子振动自由度第105页
 2. PATP(对巯基苯胺)分子的对称性第105-106页
 3. C2v点群不可约表示的特征表及 PATP’分子的不可约表示第106-109页
附录二 Franck-Condon 原理第109-112页
参考文献第112-135页
作者简介第135页
发表论文及科研成果第135-139页
致谢第139-140页
摘要第140-142页
Abstract第142-143页

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