| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-19页 |
| ·课题背景 | 第13-14页 |
| ·同位素核电池分类及比较 | 第14-16页 |
| ·β辐射伏特核电池发展历史、进展 | 第16-18页 |
| ·国外的研究历史和进展 | 第16-17页 |
| ·国内研究的历史和进展 | 第17-18页 |
| ·本文的主要工作 | 第18-19页 |
| 第二章 辐射伏特核电池原理及结构 | 第19-27页 |
| ·β辐射伏特核电池原理 | 第19-21页 |
| ·电子与物质相互作用机制 | 第19-21页 |
| ·射线照射下的 PIN 结特性 | 第21页 |
| ·辐射伏特核电池基本结构 | 第21-27页 |
| ·换能器件材料的选取及性质 | 第21-25页 |
| ·放射源的选取和能谱电子化 | 第25-27页 |
| 第三章 β辐射伏特效应核电池的粒子输运研究及优化设计 | 第27-73页 |
| ·单能电子在材料中的射程 | 第27-42页 |
| ·引言：电子射程 | 第27-28页 |
| ·单能电子在材料中射程的模拟方案 | 第28-29页 |
| ·单能电子在材料中射程的数据结果及分析 | 第29-41页 |
| ·单能电子在材料中射程数据的可靠性分析 | 第41-42页 |
| ·本结小结 | 第42页 |
| ·单能电子在材料表面的能量反散射率 | 第42-50页 |
| ·引言：能量反散射率 | 第42-43页 |
| ·入射电子能量一定时，GaN 材料表面的能量反散射率η与入射角度θ的关系 | 第43-46页 |
| ·单能准直、4π电子在 GaN、Al、Cu、Au 材料表面的能量反散射率η与能量 E 的关系； | 第46-50页 |
| ·~(147)Pmβ放射源的自吸收 | 第50-58页 |
| ·引言：放射源自吸收理论基础 | 第50-51页 |
| ·放射源自吸收模拟方案 | 第51-52页 |
| ·放射源自吸收数据结果与数据分析 | 第52-58页 |
| ·单能电子、表面出射活度 3.19Ci~(147)Pm 放射源在换能材料 GaN 中的能量沉积规律 | 第58-65页 |
| ·单能准直或 4π入射电子在 GaN 换能材料中的能量沉积分布 | 第58-63页 |
| ·表面出射活度 3.19Ci~(147)Pm 放射源在 GaN 换能材料中的能量沉积分布 | 第63-65页 |
| ·参杂浓度优化设计 | 第65-68页 |
| ·引言：半导体参杂浓度与内建电势、耗尽层宽度的关系 | 第65-66页 |
| ·规律总结与数据分析 | 第66-68页 |
| ·GaN-~(147)Pm 型β辐射伏特效应核电池电学性质计算 | 第68-70页 |
| ·电池串并联和电极形状设计 | 第70-73页 |
| ·电池串并联设计 | 第70-72页 |
| ·电极形状设计 | 第72-73页 |
| 第四章 总结与展望 | 第73-76页 |
| ·总结 | 第73-75页 |
| ·展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
