GaN材料的HVPE生长反应器的流体力学模拟
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-11页 |
| ·课题背景 | 第9页 |
| ·研究内容 | 第9-11页 |
| 第2章 文献综述 | 第11-28页 |
| ·GaN材料的性质与用途 | 第11-14页 |
| ·GaN材料的结构特性 | 第11-12页 |
| ·GaN材料的光电特性 | 第12-14页 |
| ·GaN半导体器件用途 | 第14页 |
| ·制备GaN薄膜的方法简介 | 第14-16页 |
| ·MOCVD方法简介 | 第14-15页 |
| ·液相生长法 | 第15-16页 |
| ·HVPE方法简介 | 第16-21页 |
| ·计算流体力学知识综述 | 第21-28页 |
| ·Navier-Stokes方程组的微分形式 | 第22页 |
| ·求解Navier-Stokes方程组的方法 | 第22-24页 |
| ·流动区域的离散 | 第24-26页 |
| ·差分方法与求解方法散 | 第26-28页 |
| 第3章 系统的模型建立及边界条件设置 | 第28-36页 |
| ·HVPE系统模型的建立 | 第28-31页 |
| ·传递过程参数的计算 | 第31-33页 |
| ·计算方程与边界条件 | 第33-36页 |
| ·计算方程简介 | 第34页 |
| ·边界条件 | 第34-36页 |
| 第4章 三片机模型过程的放大与优化 | 第36-55页 |
| ·一片机模型介绍 | 第36-38页 |
| ·三片机模型放大过程研究 | 第38-53页 |
| ·正交试验设计 | 第38-43页 |
| ·正交结果分析及最优化尺寸设计 | 第43-49页 |
| ·不同GaCl流量对反应结果和Ⅴ/Ⅲ值的影响 | 第49-51页 |
| ·不同NH_3流量对反应结果和Ⅴ/Ⅲ值的影响 | 第51-52页 |
| ·不同N_2流量对反应结果和Ⅴ/Ⅲ值的影响 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 六片机模型过程放大 | 第55-65页 |
| ·六片机模型的放大过程 | 第55-57页 |
| ·内嵌式导气管 | 第57-63页 |
| ·内嵌式氮气管直径的影响 | 第58-59页 |
| ·GaCl流量大小的影响 | 第59-60页 |
| ·内嵌式氮气管流量大小的影响 | 第60-61页 |
| ·NH_3流量的影响 | 第61-62页 |
| ·GaCl导气管外侧氮气管氮气流量的影响 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第6章 结论与展望 | 第65-67页 |
| ·结论 | 第65页 |
| ·展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
