| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 第一章 前言 | 第11-20页 |
| ·一维半导体纳米材料发光性质的研究历史和现状 | 第11页 |
| ·半导体异质结的理论 | 第11-13页 |
| ·光致发光 | 第11-13页 |
| ·电致发光 | 第13页 |
| ·ZnO/ZnS 异质结的研究综述 | 第13-15页 |
| ·ZnO/ZnS 晶格失配 | 第14-15页 |
| ·ZnO/ZnS 光致发光 | 第15页 |
| ·p-GaN/ZnO 异质结的研究综述 | 第15-16页 |
| ·ZnO 纳米棒阵列的制备 | 第16-17页 |
| ·ZnS:Mn 包覆层的性质及制备 | 第17-19页 |
| ·选题意义 | 第19-20页 |
| 第二章 ZnO/ZnS:Mn 核壳纳米棒阵列的制备及表征 | 第20-29页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·实验部分 | 第20-21页 |
| ·ZnS:Mn 的表征 | 第21-23页 |
| ·ZnO/ZnS:Mn 纳米棒阵列的表征 | 第23-26页 |
| ·结果讨论 | 第26-28页 |
| ·ZnS:Mn 壳的生长机理 | 第26-27页 |
| ·ZnO/ZnS:Mn 核壳纳米棒阵列 530nm 绿光机理 | 第27-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第三章 p-GaN/ZnO/ZnS:Mn 的电致发光性质研究 | 第29-34页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·实验部分 | 第29页 |
| ·p-GaN/ZnO/ZnS:Mn 异质结表征 | 第29-30页 |
| ·电致发光测试结果及讨论 | 第30-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 结论 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 致谢 | 第38页 |
