| 创新之处 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-8页 |
| 英文摘要 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-34页 |
| §1.1 一维纳米材料的制备方法、结构调控及性能 | 第11-19页 |
| §1.1.1 纳米材料的制备方法 | 第11-15页 |
| §1.1.2 纳米材料的结构与成分调控 | 第15-17页 |
| §1.1.3 纳米材料的性能和应用 | 第17-19页 |
| §1.2 气-液-固(VLS)生长机理 | 第19-23页 |
| §1.2.1 VLS生长模型的提出 | 第19-20页 |
| §1.2.2 VLS机理的实验证据 | 第20-23页 |
| §1.3 金属硅化物纳米结构及其在场发射中的应用 | 第23-29页 |
| §1.3.1 金属硅化物纳米结构的合成方法 | 第23-24页 |
| §1.3.2 低维金属硅化物的形貌、组成 | 第24-26页 |
| §1.3.3 CrSi_2纳米材料的研究概况 | 第26-29页 |
| §1.4 本论文的研究思路 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-34页 |
| 第二章 相平衡主导的气-液-固生长机理新证据 | 第34-48页 |
| §2.1 概述 | 第34-35页 |
| §2.2 实验部分 | 第35-36页 |
| §2.3 结果和讨论 | 第36-46页 |
| §2.3.1 反应原料的相组成 | 第36-37页 |
| §2.3.2 氮化过程的TG-DTA分析 | 第37-39页 |
| §2.3.3 AlN纳米线的形貌 | 第39-41页 |
| §2.3.4 氮化产物在不同温度下的物相结构分析 | 第41-46页 |
| §2.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第三章 CrSi_2纳米结构的制备及场发射性能研究 | 第48-61页 |
| §3.1 概述 | 第48-49页 |
| §3.2 实验部分 | 第49-50页 |
| §3.3 结果与讨论 | 第50-59页 |
| §3.3.1 CrSi_2纳米结构 | 第50-56页 |
| §3.3.2 生长过程 | 第56-58页 |
| §3.3.3 场发射性能 | 第58-59页 |
| §3.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 展望 | 第61-62页 |
| 攻硕期间概况 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |