| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-32页 |
| ·研究背景 | 第10-13页 |
| ·GaN 基 LED 基本结构与进展 | 第13-20页 |
| ·电子发射层 | 第14-16页 |
| ·发光复合区多重量子阱 | 第16-18页 |
| ·电子阻挡层 | 第18-20页 |
| ·GaN 基 LED 的基本原理 | 第20-29页 |
| ·GaN 材料介绍 | 第20-22页 |
| ·GaN 基 LED 工作原理 | 第22-25页 |
| ·GaN 基 LED 的电学特性 | 第25-27页 |
| ·GaN 基 LED 的光学特性 | 第27-29页 |
| ·GaN 基 LED 的分析测试技术 | 第29-31页 |
| ·光致发光光谱（PL） | 第29页 |
| ·电化学 C-V 法（ECV） | 第29-30页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第30页 |
| ·二次离子质谱（SIMS） | 第30-31页 |
| ·本论文的研究内容与行文安排 | 第31-32页 |
| 第2章 GaN 基外延片 MOCVD 制程与实验 | 第32-54页 |
| ·引言 | 第32-35页 |
| ·Veeco K465i 型 MOCVD 外延生长 GaN 反应原理 | 第35-36页 |
| ·Veeco K465i 型 MOCVD 设备结构与原理 | 第36-42页 |
| ·GaN 基 LED 的 MOCVD 外延生长制程 | 第42-44页 |
| ·GaN 基绿光外延片 MOCVD 制程与实验设计 | 第44-53页 |
| ·采用 n-AlGaN 层的 LED 结构设计与外延片表征 | 第44-49页 |
| ·采用 p-AlGaN 层的 LED 结构设计与外延片表征 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第3章 GaN 基绿光 LED 芯片的表征与分析 | 第54-63页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·n-AlGaN 层对绿光 LED 光电性能的影响与分析 | 第54-57页 |
| ·不同 n-AlGaN 层厚度下 LED 的光电性能 | 第54-57页 |
| ·不同 n-AlGaN 厚度对 LED 光电性能的影响 | 第57页 |
| ·p-AlGaN 层对绿光 LED 光电性能的影响与分析 | 第57-60页 |
| ·不同 p-AlGaN 层厚度下 LED 的光电性能 | 第57-59页 |
| ·不同 p-AlGaN 厚度对 LED 光电性能的影响 | 第59-60页 |
| ·n-AlGaN 与 p-AlGaN 对 LED 光电性能影响的比较与分析 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 附录 A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第73-74页 |
| 附录 B 攻读学位期间所申请的专利目录 | 第74页 |
