| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 附表索引 | 第9-10页 |
| 附图索引 | 第10-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-23页 |
| ·中红外半导体激光器 | 第13-15页 |
| ·2μm以上InGaAsSb/AlGaAsSb锑化物激光器研究 | 第15-21页 |
| ·2μm InGaAsSb/AlGaAsSb激光器研究存在的问题 | 第21页 |
| ·开展的主要工作 | 第21-22页 |
| ·论文各部分的主要内容 | 第22-23页 |
| 第二章 2μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器的设计与优化 | 第23-49页 |
| ·AlGaAsSb和InGaAsSb的基本特性 | 第23-40页 |
| ·量子阱激光器结构优化设计 | 第40-45页 |
| ·腔面反射率优化 | 第45-47页 |
| ·设计的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器结构 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第三章 量子阱激光器结构生长与特性表征 | 第49-71页 |
| ·AlGaAsSb和InGaAsSb的MBE生长与特性 | 第49-57页 |
| ·多量子阱生长及特性表征 | 第57-61页 |
| ·InP基InGaAsSb的MBE生长与特性 | 第61-65页 |
| ·InGaSb量子点的外延生长 | 第65-67页 |
| ·AlSb缓冲层对多量子阱材料特性的影响 | 第67-69页 |
| ·小结 | 第69-71页 |
| 第四章 激光器的输出特性分析 | 第71-87页 |
| ·宽波导AlGaAsSb/InGaAsSb激光器结构 | 第71-72页 |
| ·不同厚度波导结构激光器的输出特性 | 第72-83页 |
| ·非对称波导结构激光器 | 第83-86页 |
| ·小结 | 第86-87页 |
| 第五章 总结与展望 | 第87-93页 |
| ·主要工作总结 | 第87-88页 |
| ·本论文具有创新意义的工作 | 第88页 |
| ·将来的工作 | 第88-93页 |
| 致谢 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-99页 |
| 博士期间发表的论文和专利 | 第99-100页 |
