| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 符号说明 | 第13-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-30页 |
| ·研究背景和意义 | 第15-19页 |
| ·论文的结构和安排 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-30页 |
| 第二章 纳米线的合成与检测 | 第30-49页 |
| ·纳米半导体材料的基本特性 | 第30-33页 |
| ·量子尺寸效应 | 第30-31页 |
| ·量子隧道效应 | 第31-32页 |
| ·量子干涉效应 | 第32页 |
| ·库伦阻塞效应 | 第32-33页 |
| ·纳米线合成机制 | 第33-37页 |
| ·催化剂法 | 第33-35页 |
| ·自催化法 | 第35-36页 |
| ·氧化物辅助法 | 第36-37页 |
| ·外延生长技术 | 第37-40页 |
| ·分子束外延 | 第37-38页 |
| ·金属有机化合物化学气相沉积 | 第38-40页 |
| ·纳米半导体材料的评价与检测 | 第40-44页 |
| ·扫描电子显微镜技术(SEM) | 第40-41页 |
| ·透射电子显微镜术(TEM) | 第41-42页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第42-43页 |
| ·光致发光技术(PL) | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 第三章 GaAs纳米线的生长实验与理论研究 | 第49-82页 |
| ·基于GaAs(111)B衬底的GaAs纳米线的生长与理论研究 | 第49-63页 |
| ·实验方案 | 第49-51页 |
| ·金薄膜厚度的影响 | 第51-55页 |
| ·生长温度的影响 | 第55-60页 |
| ·饱和度的影响 | 第60-62页 |
| ·不同衬底的影响 | 第62-63页 |
| ·基于Si(111)衬底的GaAs纳米线的实验与理论研究 | 第63-68页 |
| ·实验方案 | 第63-64页 |
| ·实验结果与分析 | 第64-66页 |
| ·缓冲层优化 | 第66-68页 |
| ·基于GaAs(111)B衬底的掺杂GaAs纳米线的实验与理论研究 | 第68-76页 |
| ·p型掺杂GaAs纳米线的生长 | 第69-72页 |
| ·n型掺杂GaAs纳米线的生长 | 第72-75页 |
| ·纳米线电极的制备 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 第四章 InP纳米线和InGaP纳米针的实验与理论研究 | 第82-97页 |
| ·InP纳米线的生长与理论研究 | 第82-89页 |
| ·Au辅助InP纳米线的生长研究 | 第82-87页 |
| ·自催化InP纳米线的生长研究 | 第87-89页 |
| ·Si基InGaP自催化纳米针的生长与理论分析 | 第89-91页 |
| ·实验方案 | 第89-90页 |
| ·实验结果与分析 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-97页 |
| 第五章 异质纳米线的实验与理论研究 | 第97-131页 |
| ·GaAs/AlGaAs纳米线异质结构的实验与理论研究 | 第97-112页 |
| ·基于GaAs(111)B衬底的GaAs/A1GaAs纳米线异质结构 | 第97-108页 |
| ·基于Si(111)衬底的GaAs/AlGaAs纳米线异质结构 | 第108-112页 |
| ·GaAs/InGaAs、GaAs/InAsP径向异质纳米线的生长与理论分析 | 第112-115页 |
| ·GaAs/InGaAs芯-壳结构异质纳米线 | 第112-114页 |
| ·GaAs/InAsP径向异质纳米线 | 第114-115页 |
| ·GaAs/InAs纳米线异质结构的实验与理论研究 | 第115-126页 |
| ·实验方案 | 第116-117页 |
| ·实验结果与讨论 | 第117-119页 |
| ·含有InxGa-xAs组分渐变段的GaAs/InAs纳米线的理论分析 | 第119-121页 |
| ·通过调节In原子扩散影响实现InAs晶体结构可控生长 | 第121-126页 |
| ·本章小结 | 第126-127页 |
| 参考文献 | 第127-131页 |
| 第六章 总结 | 第131-133页 |
| 致谢 | 第133-135页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文和申请专利 | 第135-138页 |
