| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| ·半导体材料发展简介 | 第9页 |
| ·ZnO的结构特性 | 第9-10页 |
| ·ZnO纳米材料的研究意义及应用 | 第10-13页 |
| ·ZnO材料的合成技术 | 第13-18页 |
| 第2章 材料检测技术 | 第18-22页 |
| ·X射线衍射 | 第18-19页 |
| ·能谱仪原理(EDS) | 第19页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第19页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第19-20页 |
| ·紫外—可见透射光谱(UV-VIS Transmission) | 第20页 |
| ·光发射谱(PL) | 第20-21页 |
| ·霍尔效应测量(Hall Effect) | 第21-22页 |
| 第3章 热蒸发技术制备一维ZnO纳米线 | 第22-29页 |
| ·实验装置和实验过程 | 第22-23页 |
| ·实验装置 | 第22-23页 |
| ·衬底处理 | 第23页 |
| ·实验过程 | 第23页 |
| ·ZnO纳米线的生长 | 第23-26页 |
| ·ZnO纳米线的成核阶段 | 第24页 |
| ·ZnO纳米线生长初期 | 第24-25页 |
| ·ZnO纳米线的增长阶段 | 第25-26页 |
| ·不同源材料质量比对ZnO纳米线的影响 | 第26-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第4章 螺旋波等离子体辅助溅射法制备ZnO外延薄膜和MgZnO薄膜 | 第29-38页 |
| ·ZnO外延薄的制备 | 第29-34页 |
| ·螺旋波等离子体辅助射频溅射技术制备ZnO外延薄膜原理 | 第29-30页 |
| ·实验装置和原理 | 第30-31页 |
| ·ZnO薄膜生长的衬底选择 | 第31页 |
| ·实验过程 | 第31页 |
| ·不同温度下制备的ZnO薄膜及其特性分析 | 第31-34页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO合金薄膜制备的实验过程 | 第34-37页 |
| ·实验结果及分析 | 第35-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第5章 MgZnO/ZnO/MgZnO量子阱的发光特性 | 第38-41页 |
| ·MgZnO/ZnO/MgZnO合金薄膜制备的实验过程 | 第38页 |
| ·实验结果及分析 | 第38-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第6章 结束语 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 致谢 | 第45页 |
