| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-32页 |
| ·集成电路的发展与面临的问题 | 第11-14页 |
| ·低k材料概述 | 第14-19页 |
| ·电介质材料 | 第14-16页 |
| ·低介电常数的获得 | 第16-17页 |
| ·用作互连介质的低k材料的性能要求 | 第17-19页 |
| ·低k材料发展及其研究现状 | 第19-28页 |
| ·有机聚合物材料 | 第19-22页 |
| ·无机介电材料 | 第22-25页 |
| ·氧化硅基材料 | 第23-24页 |
| ·硅氧烷基材料 | 第24-25页 |
| ·其它非晶及多晶材料 | 第25页 |
| ·多孔介电材料 | 第25-28页 |
| ·本论文的选题思路与主要研究内容 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-32页 |
| 第二章 多孔SiO_2:F薄膜的制备和表征方法 | 第32-48页 |
| ·低k薄膜常用制备工艺 | 第32-36页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第32-33页 |
| ·溶胶-凝胶(sol-gel)旋涂法(SOD) | 第33-36页 |
| ·多孔SiO_2:F薄膜的溶胶-凝胶旋涂法制备 | 第36-39页 |
| ·乙醇为溶剂制备多孔SiO_2:F薄膜 | 第36-38页 |
| ·四氢呋喃和N,N二甲基乙酰胺为溶剂制备多孔SiO_2:F薄膜 | 第38-39页 |
| ·低k薄膜的研究及表征方法 | 第39-46页 |
| ·多孔SiO_2:F薄膜的微结构测试 | 第39-41页 |
| ·多孔SiO_2:F薄膜的电学性能测试 | 第41-43页 |
| ·多孔SiO_2:F薄膜的机械特性测试 | 第43-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第三章 多孔SiO_2:F薄膜的紫外线辅助热处理研究 | 第48-62页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·实验方法 | 第48-49页 |
| ·UV处理多孔SiO_2:F薄膜的结构、电学和机械特性 | 第49-59页 |
| ·UV处理多孔SiO_2:F薄膜的微结构特征 | 第49-54页 |
| ·UV处理多孔SiO_2:F薄膜的电学特性 | 第54-55页 |
| ·UV处理多孔SiO_2:F薄膜的机械特性 | 第55-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第四章 多孔SiO_2:F薄膜的氢等离子体辐照处理研究 | 第62-74页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·实验方法 | 第62-63页 |
| ·氢等离子体处理多孔SiO_2:F薄膜的结构、电学和机械特性 | 第63-72页 |
| ·氢等离子体处理多孔SiO_2:F薄膜的微结构特征 | 第63-67页 |
| ·氢等离子体处理多孔SiO_2:F薄膜的电学特征 | 第67-69页 |
| ·氢等离子体处理多孔SiO_2:F薄膜的机械特性 | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-74页 |
| 第五章 多孔SiO_2:F薄膜的CNTs掺杂研究 | 第74-81页 |
| ·引言 | 第74页 |
| ·实验方法 | 第74页 |
| ·CNTs掺杂多孔SiO_2:F薄膜的结构、电学和机械特性 | 第74-79页 |
| ·CNTs掺杂多孔SiO_2:F薄膜的微结构 | 第74-77页 |
| ·CNTs掺杂多孔SiO_2:F薄膜的电学特性 | 第77-78页 |
| ·CNTS掺杂多孔SiO_2:F薄膜的机械特性 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-81页 |
| 第六章 结论与展望 | 第81-84页 |
| ·本论文的主要结论 | 第81-82页 |
| ·有待研究的问题 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
