纳米Al2O3在磷化中的应用研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 1 文献综述 | 第11-27页 |
| ·磷化 | 第11-19页 |
| ·磷化的概述 | 第11-12页 |
| ·磷化原理 | 第12-13页 |
| ·磷化膜的性能 | 第13-14页 |
| ·磷化的分类及应用 | 第14-19页 |
| ·增强磷化膜耐磨性的方法 | 第19-20页 |
| ·纳米技术在表面处理中的应用 | 第20-23页 |
| ·纳米技术的应用 | 第20页 |
| ·纳米技术在表面技术中的应用 | 第20-21页 |
| ·纳米Al_2O_3的性质及应用 | 第21-23页 |
| ·纳米材料团聚问题的解决 | 第23-27页 |
| ·纳米粉体团聚的原因 | 第23页 |
| ·纳米材料团聚问题解决的方法 | 第23-25页 |
| ·纳米Al_2O_3的分散剂及分散方式 | 第25-27页 |
| 2. 试验材料、研究方法及内容 | 第27-33页 |
| ·试验材料、仪器及工艺 | 第27-28页 |
| ·材料、药品及仪器 | 第27-28页 |
| ·工艺流程 | 第28页 |
| ·研究方法及内容 | 第28-33页 |
| ·磷化膜质量检测的方法 | 第28-29页 |
| ·基础磷化液的选择 | 第29-30页 |
| ·磷化液酸度的测定 | 第30-31页 |
| ·纳米Al_2O_3分散过程中的实验 | 第31-33页 |
| 3. 实验结果及分析 | 第33-68页 |
| ·基础磷化液及磷化工艺条件的确定 | 第33-35页 |
| ·基础磷化配方及磷化温度的确定 | 第33页 |
| ·磷化时间的确定 | 第33-35页 |
| ·小结 | 第35页 |
| ·纳米Al_2O_3单分散剂的选择及分析 | 第35-48页 |
| ·单分散剂的初步选择结果 | 第35-39页 |
| ·单分散剂溶液沉降值及表观的评定结果及分析 | 第39-41页 |
| ·TEM图 | 第41-42页 |
| ·不同分散剂对膜厚的影响及原因分析 | 第42-45页 |
| ·不同分散剂对磷化膜微观形貌的影响 | 第45-46页 |
| ·单分散剂对Al_2O_3沉积量的影响 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| ·复合分散剂的选择及分析 | 第48-57页 |
| ·对沉降值k的影响 | 第48-49页 |
| ·TEM图和电子探针Al元素面描图 | 第49-50页 |
| ·对磷化膜膜厚的影响 | 第50-51页 |
| ·对磷化膜中Al_2O_3复合量的影响 | 第51-53页 |
| ·对磷化膜硬度的影响 | 第53-55页 |
| ·对磷化膜微观形貌的影响 | 第55-56页 |
| ·对磷化膜表面粗糙度的影响 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57页 |
| ·不同纳米量对复合磷化膜性能的影响 | 第57-64页 |
| ·对膜中纳米含量的影响 | 第57-59页 |
| ·对硬度的影响 | 第59页 |
| ·对磷化膜微观形貌的影响 | 第59-60页 |
| ·对摩擦磨损性能的影响 | 第60-62页 |
| ·磨损形貌 | 第62-64页 |
| ·结论 | 第64页 |
| ·复合磷化膜生长机理的研究 | 第64-68页 |
| ·不同磷化时间的SEM图 | 第64-65页 |
| ·磷化反应过程中的E-t图 | 第65-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 4. 正交试验及最优工艺条件的确定 | 第68-82页 |
| ·正交试验因素水平的确定 | 第68-69页 |
| ·正交实验结果及分析 | 第69-75页 |
| ·硬度 | 第69-71页 |
| ·粗糙度 | 第71-72页 |
| ·耐蚀性 | 第72页 |
| ·膜厚 | 第72-73页 |
| ·外观 | 第73-74页 |
| ·小结 | 第74-75页 |
| ·各影响因素分析及最优配方的确定 | 第75-79页 |
| ·各因素的水平影响分析 | 第75-78页 |
| ·最优配方的确定 | 第78-79页 |
| ·小结 | 第79页 |
| ·最优磷化配方的性能测试评定 | 第79-82页 |
| ·基本性能 | 第79页 |
| ·微观形貌 | 第79-80页 |
| ·磷化膜的电子探针照片及谱图结果 | 第80-81页 |
| ·小结 | 第81-82页 |
| 结论 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 附录A 正交实验表 | 第87-88页 |
| 附录B 膜厚原始数据列表 | 第88-89页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
