| 摘要 | 第1-18页 |
| Abstract | 第18-21页 |
| 第一章绪论 | 第21-53页 |
| §1.1 光子晶体概述 | 第21-25页 |
| §1.1.1 光子晶体的概念 | 第21-22页 |
| §1.1.2 光子晶体的原理及特性 | 第22-24页 |
| §1.1.3 光子晶体的分类 | 第24-25页 |
| §1.2 光子晶体的制备方法 | 第25-31页 |
| §1.2.1 二维光子晶体制备方法 | 第25-26页 |
| §1.2.2 三维光子晶体制备方法 | 第26-29页 |
| §1.2.3 模板辅助制备方法 | 第29-31页 |
| §1.3 光子晶体研究的发展趋势 | 第31-38页 |
| §1.3.1 光子晶体效应研究新进展 | 第31-33页 |
| §1.3.2 光子晶体材料体系研究新进展 | 第33-35页 |
| §1.3.3 光子晶体应用研究新进展 | 第35-38页 |
| §1.4 复合结构光子晶体 | 第38-42页 |
| §1.4.1 一维复合结构 | 第38-39页 |
| §1.4.2 二维复合结构 | 第39-41页 |
| §1.4.3 三维复合结构 | 第41-42页 |
| §1.5 本论文的选题依据和研究内容 | 第42-45页 |
| 参考文献 | 第45-53页 |
| 第二章 纯二维嵌套复式周期光子晶体结构带隙特性理论研究 | 第53-75页 |
| §2.1 计算原理及模型建立 | 第53-59页 |
| §2.1.1 标准平面波展开方法计算二维光子晶体带隙 | 第53-56页 |
| §2.1.2 禁带模拟平台简介及模拟结果验证 | 第56-57页 |
| §2.1.3 纯二维嵌套复式周期结构模型的建立 | 第57-59页 |
| §2.2 结构对带隙特性的影响规律研究 | 第59-64页 |
| §2.2.1 外周期填充率对带隙特性的影响 | 第59-61页 |
| §2.2.2 内周期填充率对带隙特性的影响 | 第61-63页 |
| §2.2.3 外周期单元形状对带隙特性的影响 | 第63-64页 |
| §2.3 材料体系对带隙特性的影响规律研究 | 第64-66页 |
| §2.4 纯二维嵌套复式周期光子晶体结构与简单周期结构二维光子晶体带隙特性比较 | 第66-73页 |
| §2.4.1 参比简单周期结构计算模型的建立 | 第66-68页 |
| §2.4.2 嵌套复式周期结构与简单周期结构禁带特性比较 | 第68-73页 |
| §2.5 小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第三章 二维三维混杂及准三维嵌套复式周期光子晶体结构的带隙特性模拟 | 第75-85页 |
| §3.1 三维光子晶体带隙计算原理及MPB模拟结果验证 | 第75-77页 |
| §3.2 二维三维混杂及准三维嵌套复式周期结构模型的建立 | 第77-79页 |
| §3.3 二维三维混杂及准三维嵌套复式周期结构光子带隙模拟结果 | 第79-83页 |
| §3.3.1 二维三维混杂嵌套复式周期结构带隙模拟结果 | 第79-81页 |
| §3.3.2 准三维嵌套复式周期结构带隙模拟结果 | 第81-83页 |
| §3.3.3 外周期单元轴向延伸方向对带隙特性的影响 | 第83页 |
| §3.4 小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-85页 |
| 第四章 氧化铝材料体系纯二维嵌套复式周期结构制备研究 | 第85-119页 |
| §4.1 铝电化学阳极氧化工艺研究实验 | 第87-92页 |
| §4.1.1 实验材料与实验方法 | 第88-91页 |
| §4.1.2 多孔氧化铝膜的表征 | 第91-92页 |
| §4.2 铝电化学阳极氧化工艺研究结果与讨论 | 第92-102页 |
| §4.2.1 预处理的影响 | 第93-94页 |
| §4.2.2 阳极氧化电压的影响 | 第94-96页 |
| §4.2.3 阳极氧化时间的影响 | 第96-98页 |
| §4.2.4 温度的影响 | 第98-99页 |
| §4.2.5 扩孔时间的影响 | 第99页 |
| §4.2.6电解液的影响 | 第99-100页 |
| §4.2.7 成孔工艺范围讨论 | 第100-102页 |
| §4.2.8 小结 | 第102页 |
| §4.3 预图案工艺研究实验 | 第102-106页 |
| §4.3.1 实验材料与实验方法 | 第102-105页 |
| §4.3.2 聚合物绝缘层性能表征 | 第105-106页 |
| §4.4 预图案工艺研究结果与讨论 | 第106-116页 |
| §4.4.1 引发剂浓度对涂层防护性能的影响 | 第106-109页 |
| §4.4.2 聚合温度及涂敷工艺对涂层防护性能的影响 | 第109-112页 |
| §4.4.3 图案尺寸及毛细微模塑工艺对预图案效果影响的讨论 | 第112-115页 |
| §4.4.4 电化学阳极氧化过程与聚苯乙烯毛细微模塑限域技术兼容性研究 | 第115-116页 |
| §4.5 小结 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-119页 |
| 第五章 硅材料体系二维三维混杂嵌套复式周期结构制备研究 | 第119-157页 |
| §5.1 制备及测试方法 | 第122-125页 |
| §5.1.1 实验材料与实验方法 | 第122-124页 |
| §5.1.2 性能表征方法 | 第124-125页 |
| §5.2 局域对流自组装工艺研究结果与讨论 | 第125-129页 |
| §5.2.1 插片角度对局域对流自组装效果的影响 | 第125-126页 |
| §5.2.2 环境空间对局域对流自组装效果的影响 | 第126-127页 |
| §5.2.3 环境温度对局域对流自组装效果的影响 | 第127页 |
| §5.2.4 微球浓度对局域对流自组装效果的影响 | 第127-129页 |
| §5.3 局域对流自组装机理探讨 | 第129-140页 |
| §5.3.1 局域对流自组装的特点 | 第129-131页 |
| §5.3.2 局域对流自组装过程模型的建立 | 第131-138页 |
| §5.3.3 局域对流自组装方法适用范围的讨论 | 第138-140页 |
| §5.4 PECVD工艺研究结果与讨论 | 第140-151页 |
| §5.4.1 结构内外沉积均匀性影响因素分析 | 第141-143页 |
| §5.4.2 射频功率对沉积状态的影响 | 第143-144页 |
| §5.4.3 反应室压力与气体流量对沉积状态的影响 | 第144-147页 |
| §5.4.4 温度对沉积状态的影响 | 第147-148页 |
| §5.4.5 反应时间及凹槽内opal结构质量对沉积状态的影响 | 第148-149页 |
| §5.4.6 硅凹槽阵列中反opal结构的制备 | 第149-151页 |
| §5.5 低速PECVD方法制备的硅薄膜特性讨论 | 第151-154页 |
| §5.6 小结 | 第154-155页 |
| 参考文献 | 第155-157页 |
| 第六章 准三维嵌套复式周期结构的制备 | 第157-163页 |
| §6.1 制备及测试方法 | 第157-159页 |
| §6.1.1 实验材料与实验方法 | 第157-158页 |
| §6.1.2 性能表征方法 | 第158-159页 |
| §6.2 制备工艺的改进及实验结果 | 第159-163页 |
| §6.2.1 变速PECVD沉积 | 第159-160页 |
| §6.2.2 层间抛光处理 | 第160-161页 |
| §6.2.3 小结 | 第161-163页 |
| 第七章 应用前景展望 | 第163-166页 |
| §7.1 在偏振伪装领域的潜在应用 | 第163-164页 |
| §7.2 在激光防护领域的潜在应用 | 第164-165页 |
| 参考文献 | 第165-166页 |
| 第八章 结论 | 第166-170页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第170-171页 |
| 致谢 | 第171-172页 |
