| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-25页 |
| ·铜铟硒薄膜的研究进展 | 第10-14页 |
| ·太阳能电池的研究进展 | 第10-14页 |
| ·电沉积法制备铜铟硒薄膜研究的进展 | 第14-17页 |
| ·国外的研究进展 | 第14-16页 |
| ·国内的研究进展 | 第16-17页 |
| ·目前研究存在的问题 | 第17-21页 |
| ·材料内部结构的影响 | 第17-18页 |
| ·衬底温度对薄膜结构的影响 | 第18-19页 |
| ·影响电沉积制备半导体铜铟硒薄膜的因素 | 第19-21页 |
| ·实验原理 | 第21-23页 |
| ·光电转化机理 | 第21-22页 |
| ·电沉积机理 | 第22-23页 |
| ·本课题研究的目的意义及来源 | 第23-24页 |
| ·本课题的研究内容 | 第24-25页 |
| 第2章 实验设计及分析测试方法 | 第25-31页 |
| ·实验设计 | 第25-27页 |
| ·实验材料 | 第25-26页 |
| ·实验装置图 | 第26-27页 |
| ·实验工艺流程 | 第27页 |
| ·测试方法 | 第27-28页 |
| ·光电转化性能测试 | 第27页 |
| ·X射线(XRF)分析 | 第27页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第27-28页 |
| ·镀层表面粗糙度的分析 | 第28页 |
| ·扫描电镜(SEM)与金相显微镜 | 第28页 |
| ·实验准备工作 | 第28-31页 |
| ·基体材料的选择 | 第28页 |
| ·电沉积镍层 | 第28-29页 |
| ·工艺参数的选择 | 第29-30页 |
| ·光电性能测试所需的CIS薄膜光电极的制备 | 第30-31页 |
| 第3章 薄膜层性能的研究 | 第31-51页 |
| ·低铟镀液制备CIS薄膜工艺条件对薄膜层性能的影响 | 第31-39页 |
| ·镀液组成对薄膜层光电性能的影响 | 第31-35页 |
| ·镀液组成对薄膜层粗糙度的影响 | 第35-37页 |
| ·镀液组成对薄膜层成分的影响 | 第37-39页 |
| ·低铟CIS薄膜工艺条件的优选 | 第39-46页 |
| ·四个工艺配方电压对薄膜层光电性能的影响 | 第39-43页 |
| ·四个工艺配方电压对薄膜层成分的影响 | 第43-46页 |
| ·四个工艺配方电压对薄膜层晶体结构的影响 | 第46页 |
| ·最佳低铟CIS薄膜工艺条件的设计 | 第46-50页 |
| ·最优镀液电压对薄膜层光电转化性能的影响 | 第47-48页 |
| ·最优镀液电压对薄膜层成分的影响 | 第48-49页 |
| ·最优镀液电压对薄膜层晶体结构的影响 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 最优低铟镀液制备CIS薄膜表面质量及形貌的比较 | 第51-61页 |
| ·最优镀液制备CIS薄膜的粗糙度值与较优镀液的比较 | 第51-54页 |
| ·4 个工艺配方电压对薄膜层粗糙度的影响 | 第51-53页 |
| ·最佳工艺配方电压对薄膜层粗糙度的影响 | 第53-54页 |
| ·最优与较优镀液制备CIS薄膜的金相显微镜照片的比较 | 第54-55页 |
| ·最优镀液制备CIS薄膜的SEM照片与较优镀液的比较 | 第55-58页 |
| ·扫描电子显微镜为1000 倍时SEM照片的比较 | 第55-57页 |
| ·扫描电子显微镜为5000 倍时SEM照片的比较 | 第57-58页 |
| ·热处理工艺对最优镀液制备的CIS薄膜表面质量及表观形貌的影响 | 第58-59页 |
| ·热处理前后金相显微镜及数码照片的比较 | 第58-59页 |
| ·热处理前后SEM照片的比较 | 第59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第66-67页 |
| 哈尔滨工业大学硕士学位论文原创性声明 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
