半导体低维纳米材料的制备与表征
| 第一章 文献综述 | 第1-41页 |
| ·半导体材料及其发展历程 | 第11-13页 |
| ·半导体材料的定义、分类 | 第11-12页 |
| ·半导体材料的发展历程 | 第12-13页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体材料的出现、发展及应用前瞻 | 第13-15页 |
| ·氮化镓材料的特性 | 第15-18页 |
| ·结构特点 | 第17页 |
| ·光学特性 | 第17-18页 |
| ·化学及热学特性 | 第18页 |
| ·电学特性及掺杂物质 | 第18页 |
| ·氮化镓基材料的应用及其制备技术 | 第18-27页 |
| ·氮化镓基材料的应用 | 第18-22页 |
| ·GaN材料的制备技术 | 第22-27页 |
| ·纳米科技与纳米半导体材料 | 第27-36页 |
| ·纳米材料及其特性 | 第27-31页 |
| ·纳米半导体材料及其应用 | 第31-36页 |
| ·一维纳米半导体材料的研究现状及其研究动向 | 第36-39页 |
| ·选题依据及研究内容 | 第39-41页 |
| ·选题依据 | 第39页 |
| ·研究内容 | 第39-41页 |
| 第二章 氮化镓纳米线的氨化合成与表征 | 第41-55页 |
| ·前言 | 第41-43页 |
| ·实验用原料、合成工艺及分析方法 | 第43-46页 |
| ·原料及实验设备 | 第43-44页 |
| ·氮化镓纳米线的合成工艺 | 第44-45页 |
| ·分析方法 | 第45-46页 |
| ·实验结果及分析 | 第46-52页 |
| ·工艺参数确定 | 第46-47页 |
| ·形貌的分析 | 第47页 |
| ·GaN纳米线的成分分析 | 第47-48页 |
| ·X-Ray粉末衍射分析 | 第48-50页 |
| ·微观结构的分析 | 第50-51页 |
| ·形成机理分析 | 第51-52页 |
| ·氮化镓纳米晶须的发现 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第三章 直接反应法制备氮化镓纳米线 | 第55-62页 |
| ·前言 | 第55-56页 |
| ·实验方法 | 第56-57页 |
| ·实验原料 | 第56页 |
| ·实验装置 | 第56页 |
| ·样品的制备 | 第56-57页 |
| ·样品的表征 | 第57页 |
| ·实验结果与分析 | 第57-60页 |
| ·样品的FESEM分析 | 第57-58页 |
| ·样品的XRD分析 | 第58-59页 |
| ·样品的EDS分析 | 第59页 |
| ·样品的HRTEM分析 | 第59-60页 |
| ·形成机理讨论 | 第60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第四章 二氧化钛纳米管/纳米线的制备与表征 | 第62-75页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·二氧化钛纳米管制备与表征 | 第62-71页 |
| ·实验方法 | 第63-64页 |
| ·实验结果与讨论 | 第64-67页 |
| ·反应条件对产物的影响 | 第67-68页 |
| ·TiO_2纳米管的光学性能 | 第68-70页 |
| ·TiO_2纳米管的光催化性能 | 第70-71页 |
| ·二氧化钛纳米线的制备与表征 | 第71-74页 |
| ·实验原料 | 第72页 |
| ·实验装置 | 第72页 |
| ·实验方法 | 第72页 |
| ·测试实验 | 第72-73页 |
| ·实验结果与讨论 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 结论与展望 | 第75-77页 |
| ·结论 | 第75-76页 |
| ·展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文、专利目录 | 第86页 |
