| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-23页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·透明导电氧化物薄膜 | 第9-11页 |
| ·In_2O_3基TCO薄膜 | 第9-10页 |
| ·氧化铟(In_2O_3)薄膜 | 第9页 |
| ·铟锡氧化物薄膜(ITO) | 第9-10页 |
| ·SnO_2基TCO薄膜 | 第10页 |
| ·氧化锡(SnO_2)薄膜 | 第10页 |
| ·氟锡氧化物薄膜(FTO) | 第10页 |
| ·ZnO基TCO薄膜 | 第10-11页 |
| ·掺铝的氧化锌薄膜(AZO) | 第10-11页 |
| ·其他一些多元透明导电氧化物薄膜 | 第11页 |
| ·Ga_2O_3的性质 | 第11-13页 |
| ·Ga_2O_3的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·Ga_2O_3的气敏性质 | 第12页 |
| ·Ga_2O_3的光电性质 | 第12-13页 |
| ·Ga_2O_3薄膜的应用 | 第13-14页 |
| ·气敏传感器 | 第13页 |
| ·薄膜电致发光器件(TFEL) | 第13-14页 |
| ·紫外探测器 | 第14页 |
| ·Ga_2O_3薄膜的制备方法简介 | 第14-21页 |
| ·溶胶凝胶法(Sol-gel) | 第15-16页 |
| ·喷雾裂解(Spray pyrolysis) | 第16页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第16-18页 |
| ·分子束外延技术(MBE) | 第18-19页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第19-20页 |
| ·磁控溅射法(Magnetron sputtering) | 第20-21页 |
| ·本文的选题角度和研究目的 | 第21-22页 |
| ·本章小节 | 第22-23页 |
| 第二章 量子力学密度泛函理论计算简介 | 第23-27页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·密度泛函理论基本原理 | 第23-25页 |
| ·Hohenber-Kohn定理 | 第23-24页 |
| ·Kohn-Sham方程式 | 第24-25页 |
| ·赝势理论 | 第25-26页 |
| ·平面波赝势 | 第25页 |
| ·范数不变赝势(NCPP) | 第25-26页 |
| ·超软赝势(USP) | 第26页 |
| ·本章小节 | 第26-27页 |
| 第三章 直流反应磁控溅射的成膜原理 | 第27-34页 |
| ·引言 | 第27-28页 |
| ·溅射镀膜的基本原理 | 第28-32页 |
| ·真空的概念 | 第28页 |
| ·辉光区的划分及溅射的形成 | 第28-30页 |
| ·溅射现象和机理 | 第30-31页 |
| ·溅射粒子成膜过程 | 第31-32页 |
| ·直流反应磁控溅射的基本原理 | 第32页 |
| ·直流反应磁控溅射的特点 | 第32-33页 |
| ·本章小节 | 第33-34页 |
| 第四章 薄膜制备过程与测试方法介绍 | 第34-42页 |
| ·直流反应磁控溅射系统 | 第34-35页 |
| ·磁控溅射Ga_2O_3薄膜的制备 | 第35-38页 |
| ·靶的制备 | 第35页 |
| ·实验步骤 | 第35-38页 |
| ·Ga_2O_3薄膜的性能测试 | 第38-41页 |
| ·薄膜结构的测试 | 第38-40页 |
| ·薄膜光学性质的测试 | 第40页 |
| ·薄膜表面形貌的测试 | 第40页 |
| ·薄膜的傅立叶红外光谱测试 | 第40-41页 |
| ·本章小节 | 第41-42页 |
| 第五章 掺Sn的Ga_2O_3薄膜的理论计算 | 第42-46页 |
| ·第一原理计算结果 | 第42-45页 |
| ·本章小节 | 第45-46页 |
| 第六章 Ga_2O_3薄膜的制备与表征 | 第46-58页 |
| ·原位氧化法制备Ga_2O_3薄膜 | 第46-52页 |
| ·不同O_2流量下制备Ga_2O_3薄膜 | 第46-50页 |
| ·O_2流量改变对Ga_2O_3薄膜结晶性能的影响 | 第46-47页 |
| ·Ga_2O_3薄膜的傅立叶红外光谱 | 第47-48页 |
| ·O_2流量改变对Ga_2O_3薄膜表面形貌的影响 | 第48页 |
| ·O_2流量改变对Ga_2O_3薄膜光学性能的影响 | 第48-50页 |
| ·衬底温度对Ga_2O_3薄膜性质的影响 | 第50-52页 |
| ·衬底温度对Ga_2O_3薄膜结晶性质的影响 | 第50-51页 |
| ·衬底温度对Ga_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第51-52页 |
| ·纯Ga热氧化法制备Ga_2O_3薄膜 | 第52-57页 |
| ·热处理温度对Ga_2O_3薄膜晶体质量的影响 | 第52-53页 |
| ·小角度XRR测试薄膜厚度 | 第53页 |
| ·热处理温度对Ga_2O_3薄膜的光学性能的影响 | 第53-56页 |
| ·热处理温度对薄膜表面形貌的影响 | 第56-57页 |
| ·本章小节 | 第57-58页 |
| 第七章 掺Sn的Ga_2O_3薄膜的制备与表征 | 第58-66页 |
| ·实验过程 | 第58页 |
| ·掺Sn的Ga_2O_3薄膜的性能测试 | 第58-65页 |
| ·Sn含量对薄膜结晶性能的影响 | 第58-59页 |
| ·Sn含量对薄膜光学性能的影响 | 第59-61页 |
| ·热处理前掺Sn的Ga_2O_3较厚膜的性能测试 | 第61-64页 |
| ·掺Sn的Ga_2O_3薄膜的结晶性能 | 第61页 |
| ·掺Sn的Ga_2O_3薄膜的光学性能 | 第61-63页 |
| ·掺Sn的Ga_2O_3薄膜的电学性能 | 第63-64页 |
| ·热处理后Ga_xSn_(1-x)O较厚膜的性能测试 | 第64-65页 |
| ·本章小节 | 第65-66页 |
| 第八章 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
