| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 SiGe技术概述 | 第8-19页 |
| 1．1 前言 | 第8-9页 |
| 1．2 SiGe外延的第一次实验 | 第9-10页 |
| 1．3 SiGe技术的应用 | 第10-13页 |
| 1．4 SiGe系统的物理基础 | 第13-15页 |
| 1．5 SiGe研究展望 | 第15-16页 |
| 1．6 小结 | 第16-19页 |
| 第二章 SiGe/Si材料的性质 | 第19-29页 |
| 2．1 SiGe的基本性质 | 第19-21页 |
| 2．2 SiGe合金的晶格常数 | 第21页 |
| 2．3 SiGe/Si异质结构晶格失配的补偿 | 第21-22页 |
| 2．4 SiGe/Si的能带结构 | 第22-24页 |
| 2．4．1 体材料SiGe(弛豫)的能带结构 | 第22页 |
| 2．4．2 应变SiGe导带底Ec和价带顶Ev位置发生的移动 | 第22-24页 |
| 2．5 应变能和临界厚度 | 第24-29页 |
| 2．5．1 失配应变和应力 | 第24-25页 |
| 2．5．2 应变和位错能(周期性排列) | 第25页 |
| 2．5．3 临界厚度理论 | 第25-26页 |
| 2．5．4 超晶格的应变和临界厚度 | 第26-27页 |
| 2．5．5 对称应变超晶格 | 第27-29页 |
| 第三章 SiGe/Si材料的应用 | 第29-38页 |
| 3．1 应变SiGe基区HBT | 第29-31页 |
| 3．2 SiGe MODMOS和MODFET | 第31-33页 |
| 3．3 红外探测器 | 第33-34页 |
| 3．4 SGOI | 第34-38页 |
| 第四章 SiCe/Si材料的生长方法 | 第38-45页 |
| 4．1 分子束外延 | 第38-40页 |
| 4．2 化学气相淀积 | 第40-43页 |
| 4．2．1 超高真空CVD | 第40-41页 |
| 4．2．2 快速辐射加热超低压CVD | 第41-42页 |
| 4．2．3 限制反应CVD(LRP-CVD) | 第42页 |
| 4．2．4 快速加热CVD(RTCVD) | 第42页 |
| 4．2．5 间接等离子增强CVD(RPCVO) | 第42-43页 |
| 4．3 MBE与CVD结合 | 第43-45页 |
| 第五章 实验设备与工艺 | 第45-52页 |
| 5．1 引言 | 第45页 |
| 5．2 超高真空生长SiGe/Si材料的优点 | 第45-46页 |
| 5．3 UHV/CVD-Ⅱ系统 | 第46-47页 |
| 5．4 真空系统 | 第47-48页 |
| 5．5 样品架、传递及加热装置 | 第48页 |
| 5．6 气路系统 | 第48-49页 |
| 5．7 实时监测装置 | 第49页 |
| 5．8 SiGe薄膜生长工艺 | 第49-52页 |
| 第六章 SiGe/Si材料的测试分析技术 | 第52-57页 |
| 6．1 高分辨X射线衍射仪(HRXRD) | 第52-53页 |
| 6．2 透射电子显微镜(TEM) | 第53页 |
| 6．3 二次离子质谱(SIMS) | 第53-54页 |
| 6．4 原子力显微镜 | 第54页 |
| 6．5 拉曼光谱 | 第54-57页 |
| 第七章 SiGe单层外延的生长及测试分析 | 第57-62页 |
| 7．1 生长条件及结果分析 | 第57页 |
| 7．2 成分及应力 | 第57-59页 |
| 7．3 结晶质量与表面形貌 | 第59-61页 |
| 7．4 不同温度下的生长速率 | 第61-62页 |
| 第八章 Si/SiGe多量子阱和超晶格的生长与测试分析 | 第62-67页 |
| 8．1 Si/SiGe多量子阱(MQW) | 第62-63页 |
| 8．1．1 样品的制备 | 第62-63页 |
| 8．1．2 实验结果与分析 | 第63页 |
| 8．2 超晶格的生长与测试分析 | 第63-65页 |
| 8．2．1 实验与测试分析 | 第64-65页 |
| 8．3 小结 | 第65-67页 |
| 第九章 UHV- CVD生长高质量SiGe缓冲层 | 第67-72页 |
| 9．1 样品的制备 | 第67-68页 |
| 9．2 实验结果与分析 | 第68-70页 |
| 9．3 小结 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 硕士在读期间发表论文 | 第73页 |