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表面声波单电子输运中的库仑阻塞研究

引言第1-10页
 参考文献第9-10页
第一章 低维系统第10-15页
 1.1 费米波长第10页
 1.2 二维系统第10-11页
  1.2.1 二维电子气第10页
  1.2.2 二维电子气的态密度第10-11页
 1.3 准一维系统第11-12页
  1.3.1 肖特基分裂栅第11-12页
  1.3.2 准一维电子通道的电导量子化第12页
 1.4 量子点第12-13页
 1.5 GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结第13-14页
 参考文献第14-15页
第二章 真空的获取第15-20页
 2.1 真空的基本知识第15-16页
  2.1.1 真空及其单位第15页
  2.1.2 真空区域的划分第15-16页
 2.2 稀薄气体的基本性质第16-17页
  2.2.1 气体分子的速率分布第16页
  2.2.2 平均自由程第16-17页
 2.3 真空的获得第17-18页
  2.3.1 机械泵第17-18页
  2.3.2 分子泵第18页
 2.4 真空的测量第18-19页
 参考文献第19-20页
第三章 低温的获取第20-24页
 3.1 ~3He制冷机第20-21页
 3.2 ~3He-~4He稀释制冷机第21-23页
  3.2.1 ~3He-~4He混合液体的溶解度x和x-T相图第21-22页
  3.2.2 ~3He-~4He稀释制冷机第22-23页
 参考文献第23-24页
第四章 表面声波第24-28页
 4.1 表面声波的概述第24-25页
 4.2 叉指换能器第25-27页
 参考文献第27-28页
第五章 信号测量第28-35页
 5.1 信号放大第28-29页
  5.1.1 集成运放第28页
  5.1.2 电流-电压转换第28-29页
 5.2 50赫兹干扰第29-31页
 5.3 测量程序第31-34页
  5.3.1 LabVIEW介绍第31-32页
   5.3.1.1 LabVIEW起源第31页
   5.3.1.2 LabVIEW概念与创新第31-32页
   5.3.1.3 LabVIEW应用解决方案第32页
  5.3.2 程序界面第32-33页
  5.3.3 工作原理第33页
  5.3.4 接口程序第33-34页
 参考文献第34-35页
第六章 库仑阻塞第35-46页
 6.1 单电子充电能第35-36页
 6.2 库仑阻塞第36-43页
  6.2.1 量子态占据状况第36-38页
  6.2.2 单电子隧穿第38-40页
  6.2.3 金属-岛区-金属二端子器件的电流电压特性第40-43页
 6.3 单电子盒第43-45页
 参考文献第45-46页
第七章 表面声波单电子输运中的库仑阻塞第46-58页
 7.1 样品制作第46页
 7.2 分裂栅势垒第46-48页
 7.3 源漏电流第48页
 7.4 声电电流第48-49页
 7.5 源漏电流中的库仑阻塞振荡第49-50页
 7.6 实验第50-51页
 7.7 实验结果与讨论第51-57页
  7.7.1 源漏两极的电流电压特性第51-53页
  7.7.2 源漏电流的库仑阻塞振荡第53-54页
  7.7.3 叉指换能器的频率响应第54-55页
  7.7.4 声电电流的库仑阻塞振荡第55-57页
 参考文献第57-58页
总结第58-59页
附录第59-60页
致谢第60-61页
声明第61页

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