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不同衬底上用PLD法制备LaSrCoO3薄膜及薄膜性质研究

摘要第1-5页
Abstract第5-11页
第一章 引言第11-25页
 1.1 导电陶瓷第12页
 1.2 导电现象第12-14页
 1.3 La_0.5Sr_0.5CoO_3导电陶瓷及其应用第14-15页
 1.4 脉冲激光沉积(PLD)技术第15-25页
  1.4.1 PLD法制备薄膜的设备及其特点第16-18页
   1.4.1.1 PLD法制备薄膜的设备第16-17页
   1.4.1.2 薄膜制备技术的特点第17-18页
  1.4.2 PLD法薄膜制备技术的研究现状第18-24页
   1.4.2.1 PLD法薄膜制备技术的理论研究第18-21页
   1.4.2.2 工艺的研究进展第21-22页
   1.4.2.3 PLD法制备薄膜新材料的研究进展第22-24页
  1.4.3 PLD薄膜技术的发展趋势及应用前景第24-25页
第二章 PLD制备薄膜工艺与测温系统改进第25-34页
 2.1 镀膜实验设备第25-26页
 2.2 靶材第26页
 2.3 镀膜工艺第26-29页
 2.4 测温系统改进第29-33页
  2.4.1 测温实验第31页
  2.4.2 实验结果和讨论第31-33页
 2.5 膜厚测量第33页
 2.6 电阻测量第33-34页
第三章 Si衬底上制备 LSCO薄膜及性质研究第34-41页
 3.1 薄膜XRD分析第34页
 3.2 生长温度对电阻率的影响第34-35页
 3.3 后退火对电阻率的影响第35-39页
  3.3.1 空气中后退火第35-37页
  3.3.2 充氧条件下后退火第37-39页
 3.4 薄膜的表面形貌第39-40页
 3.5 小结与讨论第40-41页
第四章 SiO_2/Si衬底上制备 LSCO薄膜及性质研究第41-50页
 4.1 薄膜XRD分析第41-42页
 4.2 生长温度对电阻率的影响第42-43页
 4.3 镀膜氧压对电阻率的影响第43页
 4.4 退火工艺对表面形貌影响第43-46页
  4.4.1 表面裂纹及消除第43-45页
  4.4.2 表面大颗粒第45-46页
 4.5 原位退火对电阻率的影响第46-47页
  4.5.1 退火氧压的影响第46-47页
  4.5.2 退火时间的影响第47页
 4.6 放置时间对电阻率的影响第47-48页
 4.7 小结和讨论第48-50页
第五章 Pt/Ti/SiO_2/Si、LaAlO_3衬底上制备 LSCO薄膜及性质研究第50-57页
 5.1 Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备LSCO薄膜及性质研究第50-53页
  5.1.1 薄膜XRD分析第50-51页
  5.1.2 生长温度对电阻率的影响第51页
  5.1.3 薄膜的表面形貌第51-53页
  5.1.4 小结第53页
 5.2 LaAlO_3衬底上制备LSCO薄膜及性质研究第53-57页
  5.2.1 薄膜 XRD分析第54-55页
  5.2.2 薄膜的表面形貌第55页
  5.2.3 薄膜的电阻率第55页
  5.2.4 小结和讨论第55-57页
第六章 不同衬底生长 LSCO薄膜性质比较第57-60页
 6.1 薄膜结构第57-58页
 6.2 电阻率第58页
 6.3 表面形貌第58-60页
第七章 激光感生热电电压(LITV)效应研究第60-74页
 7.1 感生热电电压(LITV)概述第60-64页
  7.1.1 LITV信号的发现和其理论的发展第60-62页
  7.1.2 LITV公式第62-63页
  7.1.3 LITV效应的应用第63-64页
 7.2 LSCO薄膜的 LITV效应研究第64-73页
  7.2.1 LITV信号测量系统第64-65页
  7.2.2 La_0.5Sr_0.5CoO_3薄膜LITV信号测量第65-70页
   7.2.2.1 不同倾斜角度LAO衬底 LITV第65-66页
   7.2.2.2 激光能量-峰值电压关系第66-70页
   7.2.2.3 快响应时间第70页
  7.2.3 不同配比La_(1-x)Sr_xCoO_3(x=0.1,0.3,0.5,0.6)薄膜LITV第70-73页
   7.2.3.1 靶材制备第70-71页
   7.2.3.2 LITV测量第71-73页
 7.3 小结第73-74页
结论第74-76页
致谢第76-77页
参考文献第77-82页
附录 攻读学位期间发表的论文及获奖情况第82页

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