| 摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-19页 |
| ·量子点的基本概念 | 第8-9页 |
| ·量子点的基本性质 | 第9-10页 |
| ·量子点的应用 | 第10-12页 |
| ·量子点的研究概况及本文的立论依据 | 第12-19页 |
| 第二章 宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的研究进展 | 第19-38页 |
| ·宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的制备 | 第19-24页 |
| ·S-K模式量子点的制备 | 第20-22页 |
| ·V-W模式量子点的制备 | 第22-24页 |
| ·S-K模式量子点的形成机理 | 第24-26页 |
| ·宽禁带Ⅱ-Ⅵ量子点器件的研究和制备 | 第26-32页 |
| ·宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点研究中存在的问题及展望 | 第32-38页 |
| 第三章 量子点系统的制备及表征手段 | 第38-51页 |
| ·制备方法 | 第38-42页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第38-39页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第39-42页 |
| ·表征手段 | 第42-47页 |
| ·X射线衍射谱 | 第42-43页 |
| ·反射式高能电子衍射仪(RHEED) | 第43-44页 |
| ·透射电镜(TEM) | 第44-45页 |
| ·扫描隧道显微镜(STM) | 第45页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第45-47页 |
| ·量子点的物理性能测试手段 | 第47-51页 |
| ·光致发光谱 | 第47-49页 |
| ·吸收光谱和激发光谱 | 第49页 |
| ·喇曼散射谱 | 第49-51页 |
| 第四章 量子点的制备 | 第51-72页 |
| ·量子点的制备方法 | 第51页 |
| ·量子点外延生长的基本概念 | 第51-53页 |
| ·S-K模式制备ZnCdSe量子点 | 第53-63页 |
| ·临界厚度值的数值计算 | 第54-58页 |
| ·ZnCdSe量子点的制备 | 第58-60页 |
| ·ZnCdSe量子点的形成过程研究 | 第60-63页 |
| ·V-W模式制备ZnSeS量子点 | 第63-67页 |
| ·本章小结 | 第67-72页 |
| 第五章 ZnCdSe量子点的形成和熟化过程 | 第72-88页 |
| ·AFM表征的ZnCdSe量子点的形成和熟化过程 | 第75-79页 |
| ·光谱表征的ZnCdSe量子点的形成和熟化过程 | 第79-84页 |
| ·量子点熟化的理论分析 | 第84-85页 |
| ·本章小结 | 第85-88页 |
| 第六章 量子点光谱的温度依赖关系中拐点的起源 | 第88-104页 |
| 第七章 结论 | 第104-107页 |
| 作者简介 | 第107页 |
| 发表文章目录 | 第107-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |