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甲烷部分氧化反应过程的DFT研究

前 言第1-9页
文献综述第9-19页
 天然气制合成气的现状第9-13页
  蒸汽重整(SRM)第10页
  非催化部分氧化(NC-POM)工艺第10-11页
  联合重整工艺(CRM)第11页
  自热重整工艺(ATR)第11-12页
  甲烷部分氧化制合成气(POM)第12-13页
 反应机理第13-16页
  燃烧-重整机理第13-14页
  直接氧化机理第14-16页
 有关甲烷部分氧化反应机理的分子模拟研究第16-17页
 本课题目的及意义第17-19页
量子力学基础及DmoL3基本原理第19-32页
 从经典力学到量子力学第19-22页
  德布罗意关系式第20页
  量子力学的基本假设第20-22页
 量子化学第22-24页
  薛定谔方程第22-23页
  HF方程第23-24页
  Xa方程第24页
  DFT方法第24页
 分子模拟的方法第24-27页
 DmoL3基本原理第27-32页
  总能的构成第27-28页
  交换相关能的近似第28页
  普通自旋密度函数第28-29页
  密度梯度的扩展第29页
  总能的表达第29页
  Kohn-Sham等式第29-30页
  扩展基函数中的分子轨道的优点第30页
  SCF程序第30页
  数值积分第30页
  周期基函数第30-31页
  Mulliken电荷分析第31-32页
分子模型及计算方法第32-36页
 分子模型的建立第32-33页
  催化剂Ni(1 1 1)表面的建立第32页
  甲烷及其它表面物种的嵌入第32-33页
 计算方法第33-36页
  基函数的选择第33页
  基组的设定第33-34页
  球轨道终止和k-point的设定第34-36页
CH4部分氧化吸附过程研究第36-50页
 CHx在Ni(1 1 1)表面的吸附第36-46页
  CH4在Ni(1 1 1)表面的吸附第36-39页
  CH3在Ni(1 1 1)表面的吸附第39-40页
  CH2在Ni(1 1 1)表面的吸附第40-42页
  CH在Ni(1 1 1)表面的吸附第42-44页
  C在Ni(1 1 1)表面的吸附第44-45页
  小结第45-46页
 其它表面物种的吸附位置第46-50页
  O在Ni(1 1 1)表面的吸附第46-47页
  CO在Ni(1 1 1)表面的吸附第47-48页
  H和H2在Ni(1 1 1)表面的吸附第48-50页
CH4部分氧化反应的机理研究第50-65页
 CH4在Ni(1 1 1)表面的解离第50-56页
  CH4的解离第50-52页
  CH3的解离第52-54页
  CH2的解离第54-55页
  CH的解离第55-56页
 CO生成机理研究第56-62页
  Cads与Oads的反应路径第57-58页
  CHads与Oads反应路径第58-61页
  小结第61-62页
 H2的生成第62-65页
CH4在Ni表面的解离实验第65-73页
 实验目的及实验设计第65页
 实验原料及规格第65页
 实验装置第65-66页
  装置介绍第65-66页
  主要仪器设备第66页
 分析方法第66-68页
  分析仪器第66-68页
  分析条件第68页
 实验条件第68页
 实验结果与讨论第68-73页
  实验方法第68-69页
  实验步骤第69页
  实验结果第69-70页
  结果讨论第70-73页
结论第73-74页
符号表第74-76页
参考文献第76-81页
攻读硕士学位期间发表的论文第81-82页
附录一 Mulliken电荷分析数据第82-85页
附录二 在线分析色谱图第85-87页
附录三 SCF 程序流程图第87-88页
致谢第88页

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