碲锌镉单晶体的生长与缺陷
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 1 引言 | 第8-15页 |
| ·半导体材料科学综述 | 第8-11页 |
| ·元素半导体 | 第8-10页 |
| ·化合物半导体 | 第10页 |
| ·半导体在核光电探测领域的应用 | 第10-11页 |
| ·CZT材料性质及在核辐射探测器方面的应用简介 | 第11-13页 |
| ·CZT单晶体生长及器件制备方法概述 | 第13-15页 |
| 2 CTZ单晶体生长理论基础 | 第15-19页 |
| ·相图 | 第15-16页 |
| ·Zn的分凝 | 第16页 |
| ·成核 | 第16页 |
| ·几何淘汰规律 | 第16-17页 |
| ·温场 | 第17-19页 |
| 3 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体主要缺陷及其成因 | 第19-24页 |
| ·零维缺陷 | 第19-21页 |
| ·一维缺陷 | 第21-23页 |
| ·二维缺陷 | 第23-24页 |
| ·小角晶界 | 第23页 |
| ·堆垛层错 | 第23-24页 |
| ·孪晶 | 第24页 |
| ·三维缺陷 | 第24页 |
| 4 CZT单晶体的生长 | 第24-31页 |
| ·生长装置 | 第25页 |
| ·温场及生长速度的选择 | 第25-27页 |
| ·生长安瓿的选择 | 第27-28页 |
| ·Cd1-xZnxTe多晶原料的合成 | 第28-29页 |
| ·晶体生长工艺 | 第29-31页 |
| 5 实验部分 | 第31-44页 |
| ·CZT晶体的解理特性 | 第31-32页 |
| ·晶片X射线衍射分析 | 第32页 |
| ·晶片解理表面宏观形貌观测 | 第32-33页 |
| ·晶片制作工艺 | 第33-35页 |
| ·物理切割 | 第33-34页 |
| ·研磨 | 第34页 |
| ·机械抛光 | 第34页 |
| ·化学抛光 | 第34-35页 |
| ·晶片红外透过率测试 | 第35-36页 |
| ·晶片缺陷的电学测试 | 第36-40页 |
| ·I-V特性测试分析 | 第38页 |
| ·晶体电子陷阱能级及缺陷浓度的计算 | 第38-40页 |
| ·晶体蚀坑观测 | 第40-44页 |
| 6 主要结论及工作建议 | 第44-46页 |
| ·主要结论 | 第44页 |
| ·工作建议 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 附件 | 第49-50页 |
| 声明 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
