| 第一章 概述 | 第1-19页 |
| 1．1 发展历史 | 第9-10页 |
| 1．2 光电导开关应用前景 | 第10页 |
| 1．3 光电导开关结构 | 第10-13页 |
| 1．4 材料的性能 | 第13-14页 |
| 1．5 光电导开关工作模式 | 第14-18页 |
| 1．6 小结 | 第18-19页 |
| 第二章 试验方法 | 第19-35页 |
| 2．1 开关的基本结构 | 第19-22页 |
| 2．2 半绝缘GaAs材料 | 第22-24页 |
| 2．3 光电导开关阻值设计 | 第24-27页 |
| 2．4 横向GaAs光电导开关的设计 | 第27-30页 |
| 2．5 实验过程和结果 | 第30-32页 |
| 2．6 小结 | 第32-35页 |
| 第三章 Lock-on效应理论解释 | 第35-58页 |
| 3．1 单极电荷畴模型的实验背景 | 第35-41页 |
| 3．2 单极电荷畴模型 | 第41-49页 |
| 3．3 单极电荷畴发光和载流子倍增 | 第49-51页 |
| 3．4 延迟时间的数值计算 | 第51-56页 |
| 3．5 小结 | 第56-58页 |
| 第四章 光脉冲展宽实验 | 第58-64页 |
| 4．1 实验装置和原理 | 第59-60页 |
| 4．2 试验过程和结果分析 | 第60-62页 |
| 4．3 小结 | 第62-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |