摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-8页 |
1 绪论 | 第8-15页 |
·太阳能电池的发展历史及现状 | 第8-11页 |
·非晶硅太阳能电池 | 第11-14页 |
·本文的主要研究内容及意义 | 第14-15页 |
2 非晶态材料及PECVD 沉积薄膜机理 | 第15-21页 |
·非晶态材料 | 第15-17页 |
·PECVD 法制备氢化非晶硅薄膜的生长机制 | 第17-21页 |
3 用于太阳能电池的薄膜制备技术研究 | 第21-36页 |
·实验设备,气体以及衬底基片的清洗 | 第21-23页 |
·本征 a-Si:H 薄膜的制备技术研究 | 第23-32页 |
·宽带隙高电导率的 p 型 a-SiC 窗口层材料的研究 | 第32-34页 |
·高电导率的 n 型微晶硅的研究 | 第34-35页 |
·遇到的问题与解决办法 | 第35-36页 |
4 非晶硅太阳能电池的设计和制备 | 第36-49页 |
·非晶硅薄膜太阳电池的基本原理和结构 | 第36-37页 |
·单结 a-Si:H 电池的制备技术研究 | 第37-40页 |
·叠层 a-Si:H 太阳能电池的制备技术研究 | 第40-49页 |
5 薄膜电池集成化技术研究 | 第49-53页 |
·激光划刻集成法 | 第49-50页 |
·CVM 成图集成法 | 第50-53页 |
6 结论 | 第53-55页 |
致谢 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-60页 |
附录1 攻读硕士学位期间参与发表的论文 | 第60-61页 |
附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第61-62页 |
附录3 光刻掩模板设计图 | 第62-65页 |