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应力诱导的硅表面二次谐波的产生

提要第1-7页
第一章 绪论第7-11页
   ·课题背景第7-9页
   ·研究意义第9-11页
第二章 二次谐波产生的理论第11-45页
   ·体二次谐波产生的理论第11-28页
     ·非线性光学概述第11-12页
     ·电极化率张量及电极化强度第12-17页
     ·三维空间中电极化强度的表示第17-22页
     ·非线性相互作用的电磁公式第22-23页
     ·光学二次谐波的产生第23-28页
   ·立方对称晶体二次谐波产生的唯象理论第28-45页
     ·二次谐波产生中的体贡献第28-37页
     ·二次谐波产生中的表面贡献第37-45页
第三章 Si 表面及Si/SiO_2界面二次谐波产生第45-59页
   ·Si/SiO_2界面应力诱导的二次谐波的产生的理论第45-54页
     ·应力张量和应变张量的描述第45-47页
     ·晶格形变层反射的二次谐波的理论推导第47-54页
     ·不同方位角反射二次谐波强度的分布第54页
   ·Si/SiO_2界面应力诱导的二次谐波的产生的实验第54-59页
第四章 应力诱导的Si二次谐波的产生第59-79页
   ·外加应力作用下Si 表面二次谐波的产生第59-70页
     ·外力作用下Si 体对称性的变化第59-68页
     ·单轴器件及表面应变的测量第68-70页
   ·单轴应力作用下二次谐波产生的实验第70-78页
   ·总结第78-79页
第五章 结论第79-81页
参考文献第81-84页
摘要第84-86页
Abstract第86-89页
致谢第89页

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